[发明专利]一种快速测量半导体薄膜面向导热系数的方法

权利要求书

1.一种快速测量半导体薄膜面向导热系数的方法，该方法为给低维、低导热系数的基础材料表面真空溅射厚度为δ₁的金薄膜，并通过瞬态电热技术计算其热扩散系数α_w，其特征在于：给所述溅射金薄膜的基础材料上溅射n次厚度为δ₂的半导体薄膜形成n个样品，在同等环境条件下对所述n个样品分别通过瞬态电热技术计算其热扩散系数α_eff，n，对n组α_eff，n进行线性拟合得到slope，

所述slope＝4δ_max[k_c-α_w(ρc_p)_c]/πD(ρc_p)_w(1)

其中，δ_max＝n×δ₂，k是导热系数，ρ是密度，c_p是比热容，D是基础材料的直径，下标c代表半导体薄膜层，下标w代表镀金膜的基础材料，根据公式(1)即可求解厚度为δ₂的半导体薄膜的导热系数k_c。

2.如权利要求1所述的一种快速测量半导体薄膜面向导热系数的方法，其特征在于：所述基础材料为微米级玻璃纤维。

3.如权利要求1所述的一种快速测量半导体薄膜面向导热系数的方法，其特征在于：所述δ₂为20-60nm的厚度。

4.如权利要求1所述的一种快速测量半导体薄膜面向导热系数的方法，其特征在于：所述给溅射有金薄膜的基础材料上溅射半导体薄膜的次数为4次。

5.如权利要求1所述的一种快速测量半导体薄膜面向导热系数的方法，其特征在于：所述给溅射了金薄膜的基础材料上溅射半导体薄膜采用Q150TS高真空镀膜仪。