[发明专利]一种阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上沉积包 括非晶硅的有源层；在所述有源层上覆盖SiOx薄膜；将所述有源层中的非晶硅 转化为多晶硅；对所述有源层进行蚀刻处理，以形成图形；将离子注入所述有 源层；清洗去除所述SiOx薄膜。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述SiOx薄膜 的厚度小于100nm。

3.如权利要求1或2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述SiOx 薄膜通过化学气相沉积法覆盖到所述有源层上。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，使用氢氟酸清洗 以去除所述SiOx薄膜。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述氢氟酸浓度 小于5％。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，离子的注入方向 垂直于所述衬底所在的平面。

7.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述有源层中的 非晶硅转化为多晶硅，包括，使用准分子激光退火或者固相结晶的方法将所述 有源层中的非晶硅转化为多晶硅。

8.如权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，采用XeCl激光 器对有源层进行激光退火。

9.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在衬底上形成包 括非晶硅的有源层，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成缓冲层； 在所述缓冲层上形成所述有源层。

10.如权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述缓冲层通 过化学气相沉积法或溅射法形成于所述衬底基板上。