[发明专利]低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板

说明书

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板。本发明的低温多晶硅TFT基板的制作方法，利用化学气相沉积方法来形成N型重掺杂非晶硅层，节省一道离子掺杂的制程，且多晶硅层的图形化处理与N型重掺杂非晶硅层的图形化处理采用相同的光罩，从而节省一道光罩，降低生产成本；栅极绝缘层的厚度均匀，可有效提高TFT元件的信赖性并改善Hump现象；由于第一、第二N型重掺杂非晶硅层中掺杂的离子浓度均匀，从而避免出现过孔处源/漏极与第一、第二N型重掺杂非晶硅层的接触阻抗过大的问题，提升TFT元件特性。本发明的低温多晶硅TFT基板，制程简单，制作成本低，且TFT器件性能优异。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，简称LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对电压驱动式的液晶显示装置而言，多晶硅薄膜晶体管由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的薄膜晶体管实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了薄膜晶体管所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度；对于电流驱动式的有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置而言，低温多晶硅薄膜晶体管可以更好的满足驱动电流要求。

请参阅图1-5，为现有的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其包括如下步骤：

步骤1、如图1所示，提供一基板100，在所述基板100上依次沉积缓冲层200、及非晶硅层250；

步骤2、如图2所示，采用准分子激光退火方法将所述非晶硅层250转化为多晶硅层270；

步骤3、如图3所示，采用光刻制程对所述多晶硅层270进行图形化处理，得到多晶硅岛300，对多晶硅岛300的中间区域进行P型轻掺杂，得到沟道310，然后利用一道光罩对多晶硅岛300的两端进行N型重掺杂，得到N型重掺杂区320；

步骤4、如图4所示，在所述多晶硅岛300、及缓冲层200上沉积栅极绝缘层400，在所述栅极绝缘层400上形成对应于沟道310上方的栅极500；然后利用栅极500为光罩对所述多晶硅岛300上位于N型重掺杂区320与沟道310之间的区域进行N型轻掺杂，得到N型轻掺杂区330；

步骤5、如图5所示，在所述栅极500、及栅极绝缘层400上方沉积层间绝缘层600，并在所述层间绝缘层600及栅极绝缘层400上形成对应于所述N型重掺杂区320上方的过孔610，在所述层间绝缘层600上形成源/漏极700，所述源/漏极700经由过孔610与所述N型重掺杂区320相接触。