[发明专利]一种阵列基板、显示器以及电子设备有效
申请号: | 201610068752.0 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN105511688B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 周星耀;姚绮君;卢峰;杨康 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素电极层 阵列基板 投影 数据线 走线 公共电极层 电子设备 公共电极 像素电极 像素间隙 显示器 垂直 相邻两列像素 触控检测 多个阵列 开关器件 同一像素 相对设置 电连接 列方向 电极 交叠 排布 延伸 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
相对设置的公共电极层以及像素电极层,所述像素电极层包括多个阵列排布的像素电极,所述公共电极层包括多个公共电极块;
多个开关器件,所述开关器件包括有源区、栅极、漏极以及源极;
多条沿所述阵列的列方向延伸的数据线,同一列像素电极通过多个所述开关器件与同一条数据线电连接,不同列的像素电极通过所述开关器件与不同的数据线电连接;在垂直于所述像素电极层的方向上,所述数据线在所述像素电极层内的投影与所述像素电极不交叠;
多条与多个所述公共电极块一一对应电连接的公共走线,所述公共走线的延伸方向与所述列方向平行;在垂直于所述像素电极层的方向上,所述公共走线在所述像素电极层内的投影与所述像素电极不交叠;
其中,相邻两列像素电极之间具有像素间隙;在垂直于所述像素电极层的方向上,所述公共走线在所述像素电极层内的投影与所述数据线在所述像素电极层内的投影位于不同的像素间隙内;投影位于同一像素间隙内的两条数据线位于不同层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在垂直于所述像素电极层的方向上,投影位于同一像素间隙内的两条数据线中,其中一条为第一数据线,另一条为第二数据线;
所述公共走线与所述第一数据线同层设置,或是与所述第二数据线同层设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,在垂直于所述像素电极层的方向上,所述第一数据线在所述像素电极层内的投影与所述第二数据线在所述像素电极层内的投影部分交叠。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,在垂直于所述像素电极层的方向上,所述第一数据线在所述像素电极层内的投影与所述第二数据线在所述像素电极层内的投影具有间隙。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述间隙小于3μm。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,在垂直于所述像素电极层的方向上,所述第一数据线在所述像素电极层内的投影与所述第二数据线在所述像素电极层内的投影相接。
7.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,还包括:衬底;所述公共电极层、所述像素电极层、所述公共走线以及所述数据线均设置在所述开关器件背离所述衬底的一侧。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述有源区为非晶硅有源区;
同一开关器件中,所述栅极位于所述有源区与所述衬底之间;所述栅极与所述有源区之间设置有栅介质层;所述源极以及所述漏极均位于所述有源区背离所述栅极一侧的表面,且与所述有源区电连接;
所述第一数据线与对应的开关器件的漏极的表面接触,进而实现电连接;所述第二数据线与对应的开关器件的漏极之间具有绝缘层,通过过孔与所述漏极电连接;
所述公共走线与所述第二数据线同层设置。
9.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述有源区为低温多晶硅有源区;
同一开关器件中,所述有源区位于所述栅极与所述衬底之间;所述栅极与所述有源区之间设置有栅介质层;所述源极以及所述漏极均与所述有源区电连接;
所述第一数据线与对应的开关器件的漏极之间具有绝缘层,通过过孔与所述漏极电连接;所述第二数据线与对应的开关器件的漏极之间具有绝缘层,通过过孔与所述漏极电连接;
所述公共走线与所述第一数据线或是所述第二数据线同层设置。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述有源区与所述衬底之间设置有遮光走线;
在垂直于所述衬底的方向上,所述有源区在所述遮光走线的投影位于所述遮光走线内。
11.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,所述第一数据线位于所述开关器件背离所述衬底的一侧;所述公共走线与所述第一数据线同层设置;所述第二数据线与所述遮光走线同层。
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