[发明专利]一种阵列基板及显示面板在审
申请号: | 201610068755.4 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN105677111A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 卢峰;刘亮 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
形成在所述衬底基板上的多条沿第一方向延伸的扫描线和多条沿第二方向延伸的数据线;
所述数据线和所述扫描线限定出多个像素单元,每个所述像素单元内设置有对应的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极层、有源层和源漏极层;
以及形成在所述衬底基板上的至少四个半导体压力传感单元,所述半导体压力传感单元与所述有源层同层,且位于所述阵列基板的显示区域;
所述衬底基板上还形成有多条连接导线,所述多条连接导线用于将所述半导体压力传感单元连接成至少一个惠斯通电桥结构;其中,所述惠斯通电桥中的各所述半导体压力传感单元,共同用于触控压力的测量;
所述半导体压力传感单元为沿第一方向延伸的条状结构,所述半导体压力传感单元沿第一方向的长度大于一个像素单元沿第一方向的长度;或者,所述半导体压力传感单元为沿第二方向延伸的条状结构,所述半导体压力传感单元沿第二方向的长度大于一个像素单元沿第二方向的长度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每个所述惠斯通电桥结构包括第一半导体压力传感单元、第二半导体压力传感单元、第三半导体压力传感单元和第四半导体压力传感单元,所述多条连接导线包括多条第一连接导线、多条第二连接导线、多条第三连接导线和多条第四连接导线;
所述第一半导体压力传感单元的信号输入端和所述第三半导体压力传感单元的信号输入端均与所述第一连接导线电连接,并均通过所述第一连接导线与第一检测输入端电连接;
所述第二半导体压力传感单元的信号输入端和所述第四半导体压力传感单元的信号输入端均与所述第二连接导线电连接,并均通过所述第二连接导线与第二检测输入端电连接;
所述第一半导体压力传感单元的信号输出端和所述第二半导体压力传感单元的信号输出端均与所述第三连接导线电连接,并均通过所述第三连接导线与第一检测输出端电连接;
所述第三半导体压力传感单元的信号输出端和所述第四半导体压力传感单元的信号输出端均与所述第四连接导线电连接,并均通过所述第四连接导线与第二检测输出端电连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述半导体压力传感单元在所述衬底基板上的投影位于所述像素单元间的黑矩阵遮光区内。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述半导体压力传感单元在所述衬底基板上的投影位于所述像素单元的畴线区域内。
5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述连接导线包括引线部和跨接部,且所述引线部与所述半导体压力传感单元电连接,所述跨接部用于形成所述惠斯通电桥结构。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述引线部与所述扫描线位于同一膜层且沿相同方向延伸,所述跨接部与所述扫描线位于同一膜层或不同膜层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述扫描线所在膜层与所述半导体压力传感单元所在膜层之间设置有第一绝缘层,所述第一绝缘层中设置多个第一过孔,所述半导体压力传感单元通过所述第一过孔与对应的所述引线部电连接。
8.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
形成在所述衬底基板上的多个触控电极块,所述多个触控电极块分别与对应的触控走线电连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述触控走线沿第二方向延伸,所述引线部与所述触控走线位于同一膜层且沿相同方向延伸,所述跨接部与所述触控走线位于同一膜层或不同膜层。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述触控走线所在膜层与所述半导体压力传感单元所在膜层之间设置有第二绝缘层,所述第二绝缘层中设置多个第二过孔,所述半导体压力传感单元通过所述第二过孔与对应的所述引线部电连接。
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