[发明专利]阵列基板及阵列基板的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610069410.0 申请日: 2016-02-01
公开(公告)号: CN105487285B 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: 徐向阳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1343
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列基板 公共电极 漏极 第一表面 像素电极 沟道层 数据线 栅极线 基板 源极 绝缘层 薄膜晶体管 公共电极线 间隔排布 像素区域 电连接 制备 透明导电层 绝缘设置 同侧 平行
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括基板及设置在所述基板同侧的多个栅极线、多个数据线及多个公共电极线,所述基板包括第一表面,所述多个栅极线设置在所述第一表面上,且所述多个栅极线向第一方向延伸且沿第二方向间隔排布,所述多个数据线与所述多个栅极线通过第一绝缘层绝缘设置,且所述多个数据线向所述第二方向延伸且沿所述第一方向间隔排布,所述多个公共电极线与所述多个栅极线平行,一个公共电极线设置于相邻的两个栅极线之间,所述公共电极线与所述数据线通过所述第一绝缘层绝缘设置,所述公共电极线邻近所述第一表面设置,且所述公共电极线为金属层,相邻的两条栅极线及相邻的两条数据线之间限定一个像素区域,所述阵列基板还包括设置在所述像素区域内的薄膜晶体管、公共电极及像素电极,所述薄膜晶体管包括栅极、所述第一绝缘层、沟道层、源极及漏极,所述栅极设置在所述第一表面上,所述公共电极与所述公共电极线电连接,且所述公共电极设置在所述第一表面上,所述公共电极为透明导电层,所述公共电极线设置在公共电极上且与所述公共电极电连接,所述沟道层、所述源极及所述漏极设置在所述第一绝缘层上且所述源极与所述漏极设置在所述沟道层相对的两端,所述像素电极设置在所述第一绝缘层上且与所述公共电极对应,且所述像素电极与所述漏极电连接,一第二绝缘层覆盖所述沟道层、所述源极、所述漏极、所述像素电极及所述数据线,所述像素电极为金属,所述像素电极呈梳状,包括本体部以及自所述本体部的同侧延伸出来的多个间隔设置的子像素电极,所述像素电极用于反射入射至所述像素电极的光线,且在一个像素区域内:所述像素电极在所述基板上的投影落入所述公共电极在所述基板的投影范围内。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括第一欧姆接触层,所述第一欧姆接触层设置在所述沟道层与所述源极之间,用于减小所述沟道层与所述源极之间的接触电阻。

3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括第二欧姆接触层,所述第二欧姆接触层设置在所述沟道层与所述漏极之间,用于减小所述沟道层与所述漏极之间的接触电阻。

4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层包括对应所述栅极线开设的第一贯孔,所述第二绝缘层包括对应所述第一贯孔开设的第二贯孔及对应所述数据线开设的第三贯孔,所述阵列基板还包括栅极端子及数据端子,所述栅极端子通过所述第一贯孔及所述第二贯孔电连接所述栅极线,所述数据端子通过所述第三贯孔电连接所述数据线,其中,所述栅极端子及所述数据端子为导电的。

5.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板的制备方法包括:

提供基板;

在所述基板的第一表面沉积整层的第一透明导电层;

图案化所述第一透明导电层,以形成多个公共电极;

沉积整层第一金属层;

图案化所述第一金属层,以形成与所述公共电极平行的多个栅极线,设置在两栅极线之间的且间隔设置的栅极,以及向第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的且设置在所述公共电极上的多个公共电极线,其中,两个栅极线之间设置一个公共电极;

形成覆盖所述栅极线、所述公共电极、所述公共电极线及所述栅极线的第一绝缘层;

在所述第一绝缘层远离所述基板的表面形成与所述栅极对应设置的沟道层;

形成覆盖所述第一绝缘层及所述沟道层的第二金属层;

图案化所述第二金属层,以形成多个沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排布的多条数据线,以及设置在相邻的两条数据线之间且对应所述沟道层的两端设置的源极及漏极、及与所述漏极电连接的像素电极,其中,所述像素电极呈梳状,包括本体部以及自所述本体部的同侧延伸出来的多个间隔设置的子像素电极,且在一个像素区域内:所述像素电极在所述基板上的投影落入所述公共电极在所述基板上的投影范围内;

形成覆盖所述沟道层、所述源极、所述漏极、所述像素电极及所述数据线的第二绝缘层。

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