[发明专利]一种直流-直流变换器在审

专利信息
申请号: 201610069459.6 申请日: 2016-02-01
公开(公告)号: CN105471254A 公开(公告)日: 2016-04-06
发明(设计)人: 王明亮;林风 申请(专利权)人: 英麦科(厦门)微电子科技有限公司
主分类号: H02M3/04 分类号: H02M3/04;H01F17/00;H01F27/28;H01F27/32
代理公司: 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 代理人: 何家富
地址: 361000 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 直流 变换器
【权利要求书】:

1.一种直流-直流变换器,其特征在于:包括无铁芯硅基电感、控制器和至 少一个电容,所述无铁芯电感包括硅衬底和导电线圈,所述导电线圈嵌入在硅 衬底中,所述导电线圈具有多个匝,其相邻匝之间有间隔,所述间隔由硅衬底 填充,所述导电线圈与硅衬底之间设有绝缘层,所述硅衬底的至少一个面上沉 积有绝缘覆盖层,所述控制器和电容安装在绝缘覆盖层上,并与导电线圈电气 连接。

2.根据权利要求1所述的直流-直流变换器,其特征在于:所述导电线圈为 矩形螺旋状、多边形螺旋状、圆形螺旋状或螺旋管状。

3.根据权利要求1所述的直流-直流变换器,其特征在于:所述绝缘层为二 氧化硅。

4.根据权利要求1所述的直流-直流变换器,其特征在于:所述无铁芯硅基 电感还包括金属环,所述金属环嵌入在硅衬底中,所述导电线圈位于金属环内。

5.根据权利要求1所述的直流-直流变换器,其特征在于:所述控制器和电 容通过穿透所述绝缘覆盖层的多个线圈连接点电气连接到所述导电线圈,每个 线圈连接点与导电线圈的一部分接触。

6.根据权利要求1所述的直流-直流变换器,其特征在于:所述导电线圈为 多个,相邻放置嵌入在硅衬底中。

7.根据权利要求1所述的直流-直流变换器,其特征在于:所述控制器包括 两个开关管。

8.根据权利要求7所述的直流-直流变换器,其特征在于:所述开关管为MOS 管。

9.根据权利要求8所述的直流-直流变换器,其特征在于:所述开关管为N 型MOS管,所述电容的数量为两个。

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