[发明专利]多重密封环结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板，具有密封环区域和电路区域；

围绕所述电路区域呈封闭环的第一密封环结构，位于所述密封环区域上方，具有包含金属层的外部部分(210a)和包含金属层的内部部分(210b)，其中，第一密封环结构的外部部分(210a)和第一密封环结构的内部部分(210b)构成间隔设置的双层环结构；

围绕所述电路区域呈封闭环的第二密封环结构，位于所述密封环区域上方并且邻近所述第一密封环结构，具有包含金属层的外部部分(220a)和包含金属层的内部部分(220b)，其中，第二密封环结构的外部部分(220a)和第二密封环结构的内部部分(220b)构成间隔设置的双层环结构，每个所述第一密封环结构和所述第二密封环结构都由围绕所述电路区域布置的金属层以及分布在介电层(216)中的通孔层(214)堆叠组成；

第一钝化层，位于所述第一密封环结构和所述第二密封环结构上方；和

三角形内部密封环结构(230)，位于第二密封环结构的内部部分(220b)和第一密封环结构的外部部分(210a)之间，并且所述第一密封环结构和所述第二密封环结构分别位于所述三角形内部密封环结构(230)的内侧和外侧，所述三角形内部密封环结构(230)与所述第一密封环结构的外部部分(210a)一起构成围绕所述第一密封环结构的内部部分(210b)的封闭环，其中，所述第一密封环结构具有与所述第二密封环结构的直角边和所述三角形内部密封环结构的斜边平行的线性部分；

其中，所述第二密封环结构临近划线，并且所述划线与所述第二密封环结构之间的区域完全被所述介电层填充。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每个所述第一密封环结构和所述第二密封环结构都具有线形金属层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二密封环结构与所述第一密封环结构同心。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一密封环结构邻近所述电路区域并且所述第二密封环结构邻近所述划线。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每个所述第一密封环结构和所述第二密封环结构都具有多个线形金属层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一钝化层由氧化硅组成。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第二钝化层，位于所述第一密封环结构和所述第二密封环结构的下方。