[发明专利]电阻式随机存取内存及其制造方法在审
| 申请号： | 201610069955.1 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN106803533A | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 谢明宏 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马雯雯,臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取 内存 及其 制造 方法 | ||
1.一种电阻式随机存取内存，其特征在于，包括：
第一电极，配置于基底上；
第二电极，配置于所述第一电极与所述基底之间；
可变电阻氧化物层，配置于所述第一电极与所述第二电极之间；
硬掩膜层，配置于所述第一电极上；以及
氢阻挡层，配置于所述硬掩膜层与所述第一电极之间。
2.根据权利要求1所述的电阻式随机存取内存，其特征在于，所述氢阻挡层的材料包括金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的电阻式随机存取内存，其特征在于，所述金属氧化物包括氧化铝、氧化钛或氧化铱。
4.根据权利要求1所述的电阻式随机存取内存，其特征在于，所述氢阻挡层的厚度介于5nm至100nm之间。
5.一种电阻式随机存取内存的制造方法，其特征在于，包括：
于基底上形成第一电极；
于所述第一电极与所述基底之间形成第二电极；
于所述第一电极与所述第二电极之间形成可变电阻氧化物层；
于所述第一电极上形成硬掩膜层；以及
于所述硬掩膜层与所述第一电极之间形成氢阻挡层。
6.根据权利要求5所述的电阻式随机存取内存的制造方法，其特征在于，所述氢阻挡层的材料包括金属氧化物。
7.根据权利要求5所述的电阻式随机存取内存的制造方法，其特征在于，所述氢阻挡层的形成方法包括进行物理气相沉积制程或原子层沉积制程。
8.一种电阻式随机存取内存，其特征在于，包括：
第一电极，配置于基底上；
第二电极，配置于所述第一电极与所述基底之间；
可变电阻氧化物层，配置于所述第一电极与所述第二电极之间；以及
硬掩膜层，配置于所述第一电极上，其中所述硬掩膜层是藉由进行物理气相沉积制程而形成。
9.根据权利要求8所述的电阻式随机存取内存，其特征在于，所述硬掩 膜层中不含有氢。
10.根据权利要求8所述的电阻式随机存取内存，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度介于50nm至200nm之间。
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