[发明专利]一种对HMX晶体形貌进行修复/修饰的方法在审
申请号: | 201610070704.5 | 申请日: | 2016-02-02 |
公开(公告)号: | CN105732531A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 郭学永;张静元;焦清介;张朴;崔超;卢佳骥;张洪垒;李航 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | C07D257/02 | 分类号: | C07D257/02 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 韦庆文 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 hmx 晶体 形貌 进行 修复 修饰 方法 | ||
1.一种对HMX晶体形貌进行修复/修饰的方法,其特征在于,该方法包括:在搅拌条件下,使HMX晶体与溶剂-反溶剂重结晶法制得的HMX重结晶母液或其稀释液进行混合。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述HMX重结晶母液中的溶剂选自丙酮、二甲基亚砜和二甲基甲酰胺中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述HMX重结晶母液中的反溶剂选自二氯甲烷、三氯甲烷、四氯化碳、乙醇和蒸馏水中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,HMX重结晶母液稀释液由向饱和的HMX重结晶母液中加入溶剂制得。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的方法,其中,所述HMX重结晶母液中,HMX的浓度为HMX在溶剂中溶解度的1-10%,优选为2-7%。
6.根据权利要求1-4中任意一项所述的方法,其中,所述混合的条件包括:温度为20-80℃。
7.根据权利要求1-4中任意一项所述的方法,其中,所述搅拌的速度为200-1000转/分钟。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述搅拌的速度为500-1000转/分钟。
9.根据权利要求1-4中任意一项所述的方法,其中,所述搅拌的时间为2-4h。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述修复/修饰使得HMX晶体中HMX含量≥99.9%,晶体密度≥1.90g/cm3,HMX晶体的外观观测无尖锐棱角,晶体表面光滑,晶面无裂纹,晶体短长轴比≥0.8。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京理工大学,未经北京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610070704.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。