[发明专利]复合压电芯片和压电传感器有效
| 申请号： | 201610070724.2 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN105702850A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 聂泳忠;黄元庆 | 申请（专利权）人： | 聂泳忠;黄元庆 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L41/083;H01L41/18;H01L41/187 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 361008 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 压电 芯片 传感器 | ||
1.一种复合压电芯片，该压电芯片包括：
多个层，其中所述多个层包括至少一个第一层和至少一个第二层，所 述第一层的压电系数随温度升高而降低，并且所述第二层的压电系数随温 度升高而升高。
2.根据权利要求1所述的复合压电芯片，其中，所述第一层为铋层状 无铅压电陶瓷材料层。
3.根据权利要求2所述的复合压电芯片，其中，所述第二层为铌酸锂 材料层。
4.根据权利要求3所述的复合压电芯片，其中，所述第一层作为所述 复合压电芯片的基体层，并且所述第二层作为所述复合压电芯片的温度补 偿层。
5.根据权利要求4所述的复合压电芯片，其中，所述第一层和所述第 二层通过叠加或者键合的方式连接。
6.根据权利要求4所述的复合压电芯片，其中，所述至少一个第一层 和所述至少一个第二层彼此交替连接以构成所述复合压电芯片。
7.根据权利要求4所述的复合压电芯片，其中，所述至少一个第一层 被连接以形成第一合成块，所述至少一个第二层被连接以形成第二合成 块，并且所述第一合成块和所述第二合成块被连接以构成所述复合压电芯 片。
8.根据权利要求1所述的复合压电芯片，其中，所述至少一个第一层 和所述至少一个第二层具有相同或不同的数量。
9.根据权利要求1所述的复合压电芯片，其中，所述第一层与所述第 二层的厚度比依赖于所述第一层和所述第二层的温度系数。
10.一种压电传感器，包括权利要求1-9中任一项所述的复合压电芯 片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聂泳忠;黄元庆，未经聂泳忠;黄元庆许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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