[发明专利]一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管

权利要求书

1.一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，包括ITO玻璃基板、沉积在ITO玻璃表面的ZnO电子传输层、无机钙钛矿CsPbX3量子点发光层、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺空穴传输层、空穴注入层和阳极电极材料，所述的CsPbX₃量子点中的X为Cl、Br、I元素或者任意二者组合，所述的空穴注入层为MoO₃或WO₃，阳极电极材料为Au，通过以下步骤制备：

步骤1，在洁净的ITO玻璃上采用磁控溅射法沉积ZnO电子传输层；

步骤2，取CsPbX₃量子点的分散液旋涂在经步骤1处理后的器件表面；

步骤3，于步骤2旋涂后的表面热蒸发沉积TCTA空穴传输层，然后热蒸发沉积空穴注入层，最后沉积阳极电极材料。

2.一种如权利要求1所述的反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，在洁净的ITO玻璃上采用磁控溅射法沉积ZnO电子传输层；

步骤2，取CsPbX₃量子点的分散液旋涂在经步骤1处理后的器件表面；

步骤3，于步骤2旋涂后的表面热蒸发沉积TCTA空穴传输层，然后热蒸发沉积空穴注入层，最后沉积阳极电极材料。

3.根据权利要求2所述的反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述的ZnO电子传输层的沉积厚度为30～50nm。

4.根据权利要求2所述的反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤2中，CsPbX₃量子点的分散液为CsPbX₃量子点分散在正辛烷溶剂中，分散液的浓度为10～15mg/mL。

5.根据权利要求2所述的反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述的TCTA空穴传输层的沉积厚度为20～40nm；所述的空穴注入层材料为MoO₃或WO₃，空穴注入层的沉积厚度为5～20nm；所述的阳极材料为Au，阳极材料的沉积厚度为80～100nm。