[发明专利]残渣除去液、残渣除去方法和半导体设备的制造方法

权利要求书

1.一种残渣除去液，其用于除去存在于干蚀刻和/或灰化后的半导体基板上的残渣，其 特征在于：

含有Cu表面保护剂、能够与Cu(铜)形成配位化合物或螯合物的化合物和水，该残渣除 去液的pH为4～9，其中，

Cu表面保护剂由选自下述(1)、(2)、(3)中的至少一种的化合物构成，

(1)是含有具有式：＝N-NH-所示结构的五元杂环芳香族化合物(不包括3个N连续的化 合物)作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下，

(2)是含有具有式：-N＝C(SH)-X-(式中，X表示NH、O或S)所示结构的五元杂环化合物作 为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下，

(3)是含有具有至少1个氮原子(N)的六元杂环芳香族化合物作为基本骨架的化合物， 其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以上。

2.如权利要求1所述的残渣除去液，其特征在于：

上述(1)所示的化合物是选自吲唑类、吡唑类和1，2，4-三唑类的化合物，

上述(2)所示的化合物是选自巯基咪唑类、巯基噁唑类、巯基噻唑类、巯基噻唑啉类、巯 基苯并咪唑类、巯基苯并噁唑类和巯基苯并噻唑类的化合物，

上述(3)所示的化合物是选自吡啶类、嘧啶类、哒嗪类、吡嗪类、喹啉类或喹唑啉类、喹 喔啉类和噌啉类的化合物。

3.如权利要求1所述的残渣除去液，其特征在于：

上述(1)所示的化合物是选自吲唑、3-羟基吲唑、3-氯-1H-吲唑、5-氨基吲唑、5-硝基吲 唑、6-氨基吲唑、6-硝基吲唑、3-溴-7-硝基吲唑、7-硝基吲唑、吲唑-3-羧酸、1-苄基-1H-引 唑-3-醇、吡唑、3，5-二甲基吡唑和1，2，4-三唑的化合物，

上述(2)所示的化合物是选自2-巯基苯并咪唑、2-巯基咪唑、2-巯基噁唑、2-巯基苯并 噁唑、2-巯基噻唑、2-巯基苯并噻唑和2-噻唑啉-2-硫醇的化合物，

上述(3)所示的化合物是选自甲基吡啶、氨基吡啶、2，4-二氨基嘧啶、2，4，6-三氨基嘧 啶、哒嗪、3-氨基吡嗪-2-羧酸和4-氨基喹啉的化合物。

4.如权利要求1所述的残渣除去液，其特征在于：

所述Cu表面保护剂由选自上述(1)～(3)中的2种以上的化合物构成。

5.如权利要求1所述的残渣除去液，其特征在于：

所述残渣除去液中的Cu表面保护剂的含量为0.1～4000ppm。

6.如权利要求1所述的残渣除去液，其特征在于：

所述残渣除去液中的由上述(1)所示的化合物构成的Cu表面保护剂的含量为0.1～ 3000ppm，由上述(2)所示的化合物构成的Cu表面保护剂的含量为0.1～5ppm，由上述(3)所 示的化合物构成的Cu表面保护剂的含量为10～1000ppm。

7.如权利要求1所述的残渣除去液，其特征在于：

所述能够与Cu形成配位化合物或螯合物的化合物是酮酸、酮酸盐、醛酸盐、多羧酸盐、 能够与Cu形成配位化合物或螯合物的强酸、具有能够在Cu上配位的氧原子的中性有机溶剂 和/或C4以上的一元醇。

8.如权利要求7所述的残渣除去液，其特征在于：

所述能够与Cu形成配位化合物或螯合物的化合物是选自酮酸、酮酸盐和醛酸盐中的至 少1种。

9.如权利要求7所述的残渣除去液，其特征在于：

所述能够与Cu形成配位化合物或螯合物的化合物是能够与Cu形成配位化合物或螯合 物的强酸和多羧酸盐。

10.如权利要求7所述的残渣除去液，其特征在于：

所述能够与Cu形成配位化合物或螯合物的化合物是具有2个以上能够在Cu上配位的氧 原子的中性有机化合物和/或C4以上的一元醇。

11.如权利要求7所述的残渣除去液，其特征在于：

所述能够与Cu形成配位化合物或螯合物的化合物是高氯酸盐。