[发明专利]一种PVT法生长碳化硅单晶缓释的装置有效
| 申请号： | 201610071878.3 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105671637A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 靳丽婕;张云伟 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 101111 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 生长 碳化硅 单晶缓释 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种PVT法生长碳化硅单晶缓释的装置，该装置包括坩埚，所述坩埚上扣合有坩埚盖，所述坩埚盖的内侧固定有籽晶，坩埚内装有碳化硅粉源，其特征在于，坩埚内设置有隔板，所述隔板将所述碳化硅粉源分隔成上下两层，隔板上设置由若干个连通上下两层碳化硅粉源的孔。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述坩埚由石墨制成。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述隔板由石墨制成但不仅限于石墨。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述隔板设置在坩埚高温区处。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述隔板的外径与所述坩埚内径等同。
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