[发明专利]一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法

权利要求书

1.一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列为顶栅底接触结构，该薄膜晶体管阵列包括基片及位于所述基片上方的器件阵列，所述器件阵列包括多个通过激光刻蚀于所述基片上且相互独立的器件，所述器件从下往上依次包括有源层、绝缘层、栅电极，所述有源层位于基片上方；所述基片为刻蚀好各器件源漏电极的玻璃/PET，所述有源层为有机聚合物薄膜，所述绝缘层为有机聚合物薄膜；所述器件阵列中各器件均采用激光刻蚀的方式进行独立和隔离，且采用每一功能层材料单独刻蚀的方式，每旋涂一层，用激光刻蚀源漏电极图案范围大小的该层。

2.根据权利要求1所述的一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列，其特征在于：所述基片为带有ITO的PET/玻璃或不带有ITO的PET/玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列，其特征在于：所述源漏电极的刻蚀方式为，将带有ITO的PET/玻璃通过激光刻蚀于所述基片上，或者将不带ITO的PET/玻璃先制备一层银材料，然后通过激光刻蚀于所述基片上，形成源漏电极，该源漏电极的厚度为20nm~70nm。

4.根据权利要求1所述的一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列，其特征在于：所述有源层为并五苯/P3HT/PDVT-8/N2200的有机聚合物溶液通过旋涂/刮涂/打印的卷对卷或印刷的方式制备，再通过激光刻蚀的方式刻蚀出源漏电极图案范围大小的有源层，该有源层厚度为20nm~100nm。

5.根据权利要求1所述的一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列，其特征在于：所述绝缘层为PMMA/PVP/PVA/PS的有机聚合物溶液通过旋涂/刮涂/打印的卷对卷或印刷的方式制备，再通过激光刻蚀的方式刻蚀出源漏电极图案范围大小的绝缘层，该绝缘层厚度为20nm~100nm。

6.根据权利要求1所述的一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列，其特征在于：所述栅电极为PEDOT:PSS/银/银纳米线的材料通过旋涂/刮涂/打印的卷对卷或印刷的方式制备，再通过激光刻蚀的方式刻蚀出源漏电极图案范围大小的栅电极，该栅电极厚度为20nm~70nm。

7.一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列的制作方法，其特征在于：包括如下步骤，

S1：切割好带有ITO的干净的玻璃/PET基片或切割好空的干净的玻璃/PET基片，在该基片上旋涂/刮涂/打印一层银纳米颗粒溶液的电极材料；

S2：采用激光刻蚀的方法将玻璃/PET基片上的ITO/银刻蚀出源漏电极图案；

S3：在步骤S2的基片上采用旋涂/刮涂/打印的方式制备并五苯/P3HT /PDVT-8/N2200的材料的有源层；

S4：用激光在源漏电极图案范围刻蚀出有源层图案；

S5：采用旋涂/刮涂/打印方式制备PMMA/PVP/PVA/PS的材料的绝缘层；

S6：用激光在源漏电极图案范围刻蚀出绝缘层图案；

S7：采用旋涂/刮涂/打印方式制备PEDOT:PSS/银/银纳米线材料的栅电极；

S8：用激光在源漏电极图案范围刻蚀出栅电极图案，形成一独立器件，

S9：重复上述步骤S1-S8，最终独立出各器件，形成器件阵列。