[发明专利]一种阵列基板和液晶显示装置在审

专利信息
申请号: 201610073658.4 申请日: 2016-02-02
公开(公告)号: CN105511177A 公开(公告)日: 2016-04-20
发明(设计)人: 邓银;青海刚 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1345
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 液晶 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括多条栅线和多条数据线,多条所述栅线和多条所述数据线限定 出阵列排布的多个子像素,每个所述子像素内设置有平板状的像素电极,所述阵列基板还 包括位于多个所述子像素上方的公共电极,其特征在于,所述公共电极包括与多个所述子 像素一一对应的多个第一子公共电极和多个第二子公共电极,所述第二子公共电极连接于 任意相邻的两个所述第一子公共电极之间,各所述第一子公共电极上均设置有第一狭缝, 且在所述第一狭缝的延伸方向上分布的所述第二子公共电极上设置有第二狭缝,所述第二 狭缝的延伸方向和所述第一狭缝的延伸方向之间具有夹角。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一狭缝的延伸方向与所述数据 线的延伸方向相同。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二狭缝和所述第一狭缝相连 通,相邻的两个所述第一狭缝之间的间距与相邻的两个所述第二狭缝之间的间距相同。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在垂直于所述第一狭缝的延伸方向上 分布的所述第二子公共电极为条形电极。

5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括衬底基板、薄膜 晶体管的栅极、栅极绝缘层、薄膜晶体管的有源层、薄膜晶体管的源极和漏极、钝化层,所述 薄膜晶体管的栅极、所述栅极绝缘层、所述薄膜晶体管的有源层、所述像素电极、所述薄膜 晶体管的源极和漏极、所述钝化层以及所述公共电极依次层叠设置于所述衬底基板上,所 述薄膜晶体管的源极搭接于所述像素电极上。

6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极包括与所述薄膜晶体管 的有源层一一对应的多个镂空区域。

7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括衬底基板、薄膜 晶体管的栅极、栅极绝缘层、薄膜晶体管的有源层、薄膜晶体管的源极和漏极、层间绝缘层、 树脂绝缘层和钝化层,所述薄膜晶体管的栅极、所述栅极绝缘层、所述薄膜晶体管的有源 层、所述薄膜晶体管的源极和漏极、所述层间绝缘层、所述树脂绝缘层、所述像素电极、所述 钝化层和所述公共电极依次层叠设置于所述衬底基板上,所述阵列基板还包括贯穿所述树 脂绝缘层和所述层间绝缘层的第一过孔,所述像素电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体 管的源极连接。

8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括衬底基板、薄膜 晶体管的有源层、栅极绝缘层、薄膜晶体管的栅极、层间绝缘层、薄膜晶体管的源极和漏极、 树脂绝缘层和钝化层,所述薄膜晶体管的有源层、所述栅极绝缘层、所述薄膜晶体管的栅 极、所述层间绝缘层、所述薄膜晶体管的源极和漏极、所述树脂绝缘层、所述像素电极、所述 钝化层和所述公共电极依次层叠设置于所述衬底基板上,所述阵列基板还包括贯穿所述栅 极绝缘层和所述层间绝缘层的第二过孔,贯穿所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层的第三过 孔,以及贯穿所述树脂绝缘层的第四过孔,所述薄膜晶体管的源极通过所述第二过孔与所 述有源层连接,所述薄膜晶体管的漏极通过所述第三过孔与所述薄膜晶体管的有源层连 接,所述像素电极通过所述第四过孔与所述薄膜晶体管的源极连接。

9.根据权利要求7或8所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极覆盖整个阵列基板。

10.根据权利要求5、7或8所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的有源层为矩 形结构,所述薄膜晶体管的源极与所述有源层的一个顶角连接,所述薄膜晶体管的漏极与 所述有源层的未与所述顶角相邻的两个边连接。

11.一种液晶显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~10任一项所述的阵列基板、与 所述阵列基板相对设置的彩膜基板,以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶分 子层。

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