[发明专利]鳍式碳纳米管场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种鳍式碳纳米管场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管包括基底、位于基底上的源极和漏极、及位于基底上源极和漏极之间的栅极，所述源极、漏极和栅极上并排黏着有若干用作场效应晶体管导电沟槽的碳纳米管，所述碳纳米管呈三维鳍式设置，所述源极、漏极和栅极全部或部分设置为立式结构，所述碳纳米管上在位于源极、漏极或栅极处形成有若干EBID爆点，所述碳纳米管在基底上方架空设置。

2.根据权利要求1所述的鳍式碳纳米管场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管中至少包括两根并排黏着的碳纳米管。

3.根据权利要求2所述的鳍式碳纳米管场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管中包括四根并排黏着的碳纳米管。

4.一种鳍式碳纳米管场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一基底；

在所述基底上形成源极、漏极和栅极，所述栅极位于源极和漏极之间，所述源极、漏极和栅极全部或部分设置为立式结构；

在源极、漏极和栅极上并排黏着若干碳纳米管，所述碳纳米管呈三维鳍式设置，碳纳米管用作场效应晶体管导电沟槽，碳纳米管上在位于源极、漏极或栅极处形成有若干EBID爆点，所述碳纳米管在基底上方架空设置。