[发明专利]一种在高熵合金表面生成复合氧化物纳米管阵列的方法

权利要求书

1.一种在高熵合金表面生成复合氧化物纳米管阵列的方法，其特征在于，该方法使用的基体合金为高熵合金，该方法对所述基体合金为高熵合金进行表面预处理、阳极氧化以及后续热处理，首先通过对基体合金表面进行预处理，然后进行阳极氧化在其表面生成规则均匀的复合氧化物纳米管薄膜，再进行高温热处理，将非晶型氧化物膜转化成晶体型氧化物薄膜，同时保持纳米管阵列的完整性。

2.按照权利要求1所述的在高熵合金表面生成复合氧化物纳米管阵列的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤1：选取高熵合金，将所述高熵合金线切割得到10×10×1mm 的薄片，将薄片连接铜导线并最终一起密封在冷镶块里，冷镶块试样依次使用240#、800#、1000#、2000#的金相砂纸仔细研磨，用无水乙醇、甲醇、异丙醇和去离子水超声清洗各十分钟，在N₂流中吹干表面，备用；

步骤2：将经过步骤1处理后冷镶块进行氧化处理；

步骤3：将经过步骤2处理后得到的合金基体进行热处理，热处理的工艺为，温度900-1100℃，时间为1-2h, 即得到表面覆盖有氧化物纳米管阵列的高熵合金，氧化物纳米管为上端开口，下端闭口的竹子型。

3.按照权利要求2所述的在高熵合金表面生成复合氧化物纳米管阵列的方法，其特征在于，所述高熵合金为3-13 种不同组元按等原子比或近于等原子比配比的多主元合金，所述高熵合金的原子百分比表达式为A_x1B_x2C_x3D_x4E_x5F_x6G_x7H_x8I_x9J_x10K_x11L_x12M_x13，其中A, B, C, D, E, F, G, H, I , J, K, L, M分别取自Sc, Ti, V, Fe, Co, Ni, Cr, Mn, Cu, Zn, Al, Si, P, Y, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Hf, Ta, W, Re, Os, Au, La, Ce, Pr, Nb, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu中的一种元素，x1, x2, x3, x4, x5, x6, x7, x8, x9, x10, x11, x12, x13为5-35之间的数值，且x1 + x2 + x3 + x4 + x5 + x6 + x7 + x8 + x9 + x10 + x11 + x12 + x13 = 100。

4.按照权利要求2所述的在高熵合金表面生成复合氧化物纳米管阵列的方法，其特征在于，所述高熵合金原子百分比表达式为A_x1B_x2C_x3D_x4E_x5F_x6G_x7H_x8I_x9J_x10K_x11L_x12M_x13R_y,其中A, B, C, D, E, F, G, H, I , J, K, L, M分别取自Sc, Ti, V, Fe, Co, Ni, Cr, Mn, Cu, Zn, Al, Si, P, Y, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Hf, Ta, W, Re, Os, Au, La, Ce, Pr, Nb, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu中的3-13种元素，R 取自H, B, C, N, O中的至少一种元素，x1, x2, x3, x4, x5, x6, x7, x8, x9, x10, x11, x12, x13为5-35之间的数值，0≤y≤5，且x1 + x2 + x3 + x4 + x5 + x6 + x7 + x8 + x9 + x10 + x11 + x12 + x13 +y = 100。