[发明专利]一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管

说明书

本发明提供了一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管，所述铝面肖特基二极管包括硅片层、阴极金属层、二氧化硅层、导电填充块和P型阱区，所述硅片层上方连接所述二氧化硅层，所述硅片层下方连接所述阴极金属层，所述硅片层内部设有多个导电填充块，所述导电填充块外侧包裹有所述P型阱区，P型阱区包裹的导电填充块能在器件反向耐压时形成有效耗尽，从而减小漏电流，所述肖特基二极管的阴极和阳极管脚分别设于空心棒内，使用时，将空心棒口的橡胶塞去除，阴极和阳极管脚会从空心棒弹出，这种结构能在运输过程中有效的保护管脚，防止管脚折断或折弯。

技术领域

本发明涉及二极管，特别涉及一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管。

背景技术

肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短，正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。传统的肖特基二极管，随着器件反偏电压的增加，在高电场条件下肖特基势垒降低，从而导致二极管漏电流的增大，而且传统的肖特基二极管的管脚较长，在运输过程中容易折断或折弯。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管，解决了传统的肖特基二极管，随着器件反偏电压的增加，在高电场条件下肖特基势垒降低，从而导致二极管漏电流的增大，而且传统的肖特基二极管的管脚较长，在运输过程中容易折断或折弯。

为实现上述目的，本发明提供以下的技术方案：一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管，其中，所述铝面肖特基二极管包括硅片层、阴极金属层、二氧化硅层、导电填充块和P型阱区，所述硅片层上方连接所述二氧化硅层，所述硅片层下方连接所述阴极金属层，所述硅片层内部设有多个导电填充块，所述导电填充块外侧包裹有所述P型阱区，所述二氧化硅层上设有空心阳极棒，所述空心阳极棒至少部分与所述硅片层连接，所述空心阳极棒内设有第一管脚，所述第一管脚的一端通过第一弹簧连接所述空心阳极棒的内壁，所述阴极金属层上连接有阴极空心棒，所述空心阴极棒内设有第二管脚，所述第二管脚的一端通过第二弹簧连接所述空心阴极棒的内壁。

优选的，所述空心阳极棒和所述阴极空心棒都为一端设有开口且另一端封闭的结构，且所述开口塞有橡胶塞。

优选的，所述导电填充块的数量为2-4个。

优选的，所述导电填充块在所述硅片层内等距分布。

优选的，所述导电填充块为多晶硅。

有益效果：本发明提供了一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管，所述铝面肖特基二极管包括硅片层、阴极金属层、二氧化硅层、导电填充块和P型阱区，所述硅片层上方连接所述二氧化硅层，所述硅片层下方连接所述阴极金属层，所述硅片层内部设有多个导电填充块，所述导电填充块外侧包裹有所述P型阱区，P型阱区包裹的导电填充块能在器件反向耐压时形成有效耗尽，从而减小漏电流，所述肖特基二极管的阴极和阳极管脚分别设于空心棒内，使用时，将空心棒口的橡胶塞去除，阴极和阳极管脚会从空心棒弹出，这种结构能在运输过程中有效的保护管脚，防止管脚折断或折弯。

附图说明

图1是本发明的结构示意图。

图2是本发明的工作时的结构示意图。

其中，1硅片层、2二氧化硅层、3第一弹簧、4第一管脚、5空心阳极棒、6橡胶塞、7P型阱区、8导电填充块、31第二弹簧、41第二管脚、51空心阴极棒。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的优选实施方式。