[发明专利]高纯度碳化硅陶瓷制造方法和陶瓷基材有效
| 申请号： | 201610076154.8 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105732044A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 向绍斌;向其军;谭毅成 | 申请（专利权）人： | 深圳市商德先进陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/573 | 分类号： | C04B35/573 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 左光明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 碳化硅 陶瓷 制造 方法 基材 | ||
1.一种高纯度碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将碳和硅源化合物、载体气体和保护气体通入化学气相沉积反应室内进行碳化硅的沉积反应，经过沉积反应制得碳化硅陶瓷；其中，所述沉积反应过程中，反应室内压强为40～50kPa，温度为900～1100℃。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在所述化学气相沉积反应室内，通入的所述碳和硅源化合物占所述碳和硅源化合物、载体气体和保护气体总体积的2-4％。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述载体气体与保护气体的摩尔比为(1-1.5):1。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述载体气体与碳和硅源化合物的摩尔比为(7-10):1。
5.根据权利要求1-4任一所述的制备方法，其特征在于：所述碳和硅源化合物、载体气体和保护气体是先进行混合后再一起通入化学气相沉积反应室内，且所述碳和硅源化合物、载体气体和保护气体通入化学气相沉积反应室内的流速为150～300ml/min。
6.根据权利要求1-4任一所述的制备方法，其特征在于：所述碳和硅源化合物为氯硅烷。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述氯硅烷为三氯甲基硅烷和二氯甲基硅烷中的至少一种。
8.根据权利要求1-4、7任一所述的制备方法，其特征在于：所述载体气体为氢气；和/或
所述保护气体为氩气。
9.一种陶瓷基材，其特征在于：所述陶瓷基材是由权利要求1-8任一所述的制备方法制备的高纯度碳化硅陶瓷形成。
10.一种等离子刻蚀设备，其特征在于：所述等离子刻蚀设备包括权利要求9所述的陶瓷基材。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市商德先进陶瓷有限公司，未经深圳市商德先进陶瓷有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610076154.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：浮动车专用移动交通流采集的车载装置
- 下一篇：环保节能无机活性墙体保温材料
