[发明专利]一种籽晶的铺设方法、类单晶硅锭的制备方法和类单晶硅片在审
申请号: | 201610076887.1 | 申请日: | 2016-02-03 |
公开(公告)号: | CN105603521A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 何亮;周成;胡动力;雷琦;陈红荣 | 申请(专利权)人: | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B15/36 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 338000 江西省新余*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 籽晶 铺设 方法 单晶硅 制备 | ||
1.一种籽晶的铺设方法,用于铸造类单晶,其特征在于,包括以下步骤:
提供坩埚,在所述坩埚底部铺设籽晶,相邻两个所述籽晶之间留有缝隙,在 所述缝隙中填充导热系数小于所述籽晶导热系数的低导热材料;所述低导热材 料和所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部得到籽晶层。
2.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法,其特征在于,所述低导热材料的导 热系数小于0.2W/(m·K)。
3.如权利要求2所述的籽晶的铺设方法,其特征在于,所述低导热材料为细 碎硅料或石英陶瓷。
4.如权利要求3所述的籽晶的铺设方法,其特征在于,所述细碎硅料为碎片 状或颗粒状,所述细碎硅料的粒径大小为0.2-5mm。
5.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法,其特征在于,所述缝隙的宽度为 3-15mm。
6.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法,其特征在于,在铺设所述籽晶之前, 先在所述坩埚底部铺设一层或多层非籽晶层,所述非籽晶层的铺设方法为:在 所述坩埚底部铺设硅块,相邻两个所述硅块之间留有缝隙,在所述缝隙中填充 所述低导热材料;所述低导热材料和所述硅块紧密接触铺满所述坩埚底部得到 非籽晶层,然后再在所述非籽晶层上铺设所述籽晶层,所述硅块之间的缝隙与 所述籽晶之间的缝隙在垂直于所述坩埚底部方向上的位置相同或相近。
7.如权利要求1或6所述的籽晶的铺设方法,其特征在于,所述坩埚底部设 有承载所述坩埚的石墨散热板,所述石墨散热板上对应所述籽晶之间缝隙的位 置设有凹槽,所述凹槽中填充有保温材料。
8.如权利要求7所述的籽晶的铺设方法,其特征在于,所述凹槽的宽度大于 所述籽晶之间的缝隙宽度。
9.一种类单晶硅锭的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)提供坩埚,在所述坩埚底部铺设籽晶,相邻两个所述籽晶之间留有缝 隙,在所述缝隙中填充导热系数小于所述籽晶导热系数的低导热材料;所述低 导热材料和所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部得到籽晶层;
(2)在所述籽晶层上方填装硅料,加热使所述硅料熔化形成硅熔体,待所 述硅料完全熔化后形成的固液界面刚好处在或深入所述籽晶层时,调节热场形 成过冷状态,使所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶;
(3)待全部硅熔体结晶完后,经退火冷却得到类单晶硅锭。
10.一种类单晶硅片,其特征在于,所述类单晶硅片是以权利要求9所述制 备方法制得的类单晶硅锭为原料经开方-切片-清洗制备得到。
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