[发明专利]一种显示装置及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201610077012.3 申请日: 2016-02-03
公开(公告)号: CN105511145A 公开(公告)日: 2016-04-20
发明(设计)人: 李文波 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1335
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李相雨
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示装置 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种显示装置,其特征在于,包括:

形成在第一衬底上的背光模组、阵列基板、液晶和彩膜基板,其 中所述背光模组、阵列基板、液晶和彩膜基板为通过溅射工艺形成。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述背光模 组包括形成在所述第一衬底上的反射板、导光板、LED、遮光层、胆 甾相液晶和四分之一波片;

其中,所述LED位于所述导光板的侧边,所述遮光层在所述第 一衬底上的投影覆盖所述LED在所述第一衬底上的投影,且部分覆 盖所述导光板在所述第一衬底上的投影;

所述胆甾相液晶的螺距旋转方向为左旋,允许右旋圆偏振光透 射,且将左旋圆偏振光反射向所述反射板;或者,所述胆甾相液晶的 螺距旋转方向为右旋,允许左旋圆偏振光透射,且将右旋圆偏振光反 射向所述反射板。

3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述遮光层 包括吸光层和/或反光层。

4.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述遮光层 包括吸光层和反光层,所述吸光层与所述反光层叠加,且所述反光层 靠近所述LED。

5.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述LED包 括形成在第二衬底上的栅极、栅绝缘层、有源层源极和漏极,以及形 成在所述源极或漏极上的平坦层、预倾向层、阳极、P型掺杂层、量 子阱、N型掺杂层和阴极;

其中,所述阳极通过平坦层上的过孔与所述平坦层覆盖的源极或 漏极相连。

6.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述LED包括: 形成在第二衬底上的栅极、栅绝缘层、有源层源极和漏极,以及形成 在所述源极或漏极上的平坦层、预倾向层、阳极、P型掺杂层、量子 阱、N型掺杂层和阴极;

其中,所述阳极通过平坦层上的过孔与所述平坦层覆盖的源极或 漏极相连,所述预倾向层、阳极、P型掺杂层、量子阱、N型掺杂层 和阴极的边缘在所述LED的边缘区域与所述栅绝缘层连接。

7.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述导光板包括: 形成在反射板上的第一基板、第一透明电极、聚合物分散液晶膜、第 二透明电极和第二基板。

8.一种显示装置的制作方法,其特征在于,包括:

在第一衬底上通过溅射工艺形成背光模组;

在所述背光模组上通过溅射工艺形成阵列基板;

在所述阵列基板上通过溅射工艺形成液晶;

在所述液晶上通过溅射工艺形成彩膜基板。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述在第一衬底 上通过溅射工艺形成背光模组,进一步包括:

在所述第一衬底上形成反射板;

在所述反射板上形成导光板,在所述导光板的侧边形成LED;

在所述LED上形成遮光层;

在所述遮光层上形成胆甾相液晶;

在所述胆甾相液晶上形成四分之一波片;

其中,所述LED位于所述导光板的侧边,所述遮光层在所述第 一衬底上的投影覆盖所述LED在所述第一衬底上的投影,且部分覆 盖所述导光板在所述第一衬底上的投影;

所述胆甾相液晶的螺距旋转方向为左旋,允许右旋圆偏振光透 射,且将左旋圆偏振光反射向所述反射板;或者,所述胆甾相液晶的 螺距旋转方向为右旋,允许左旋圆偏振光透射,且将右旋圆偏振光反 射向所述反射板。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,在所述LED上 形成遮光层,进一步包括:

在所述LED上形成吸光层和/或反光层。

11.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,在所述LED上 形成遮光层,进一步包括:

在所述LED上形成反光层,在所述反光层上形成吸光层。

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