[发明专利]一种调控红色PS胶体晶体膜饱和度的方法在审
申请号: | 201610078045.X | 申请日: | 2016-02-03 |
公开(公告)号: | CN105694086A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 王莉丽;王秀锋;宫在磊;于成龙;江红涛 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C08J7/06 | 分类号: | C08J7/06;C08J7/04;C08J5/18;C08L25/06 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 段俊涛 |
地址: | 710021 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调控 红色 ps 胶体 晶体 饱和度 方法 | ||
1.一种调控红色PS胶体晶体膜饱和度的方法,其特征在于,包括如下 步骤:
(1)采用乳液聚合法制备平均粒径为440±10nm的PS微球母液,以去 离子水为溶剂,将其稀释为PS微球浓度为0.1-0.5wt%的乳液,置于玻璃器 皿中超声分散30-60min;
(2)用去离子水清洗基片,然后分别在乙醇和去离子水中超声清洗 30-90min后烘干备用,将清洗过的基片垂直固定在已超声分散的PS乳液中, 放入烘箱中9-12h,烘干温度为40℃-65℃,缓慢烘干得到组装好的PS胶体 晶体膜;
(3)将从烘箱中取出的PS胶体晶体膜放入蒸镀仪中镀碳膜,设置镀膜 电流为60mA,通过碳丝的粗细来调整碳膜的厚度,使PS胶体晶体膜表面的 碳膜厚度在5-25nm之间。
2.根据权利要求1所述调控红色PS胶体晶体膜饱和度的方法,其特征 在于,所述基片为玻璃基片、金属基片或有机基片。
3.根据权利要求1所述调控红色PS胶体晶体膜饱和度的方法,其特征 在于,通过定量改变碳膜的厚度来实现对红色PS胶体晶体膜色饱和度的调 控。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学,未经陕西科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610078045.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种己内酰胺聚合萃取浓缩液环聚体开环剂体系的制备方法和应用
- 下一篇:清洁器