[发明专利]横向扩散金属氧化半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，包括：

提供基底，所述基底上已依序形成有介电层、第一导体层、粘着层以及第二导体层；

图案化所述第二导体层，以形成导体结构；

在所述导体结构的第一侧的所述第一导体层与所述介电层中形成第一沟槽；

以所述导体结构作为掩模，移除所述第一导体层与所述第一沟槽所暴露的部分所述基底，以同时形成栅极结构与第二沟槽，所述第二沟槽形成于所述栅极结构的所述第一侧的所述基底中；

在所述栅极结构的所述第一侧的所述基底中形成第一导电型的第一阱区；

在所述栅极结构的第二侧的所述基底中形成第二导电型的第二阱区，其中所述第二侧与所述第一侧相对；

仅在所述栅极结构的侧壁形成间隙壁，所述间隙壁填满所述第二沟槽；以及

在所述栅极结构的所述第一侧的所述基底中形成漏极区，并于所述栅极结构的所述第二侧的所述基底中形成源极区。

2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，其中于所述导体结构的所述第一侧的所述第一导体层与所述介电层中形成所述第一沟槽，包括：

在所述导体结构的侧壁形成牺牲间隙壁；

移除所述导体结构的所述第一侧的所述牺牲间隙壁以及部分所述粘着层，以于所述粘着层中形成开口；

移除所述导体结构的所述第二侧的所述牺牲间隙壁；以及

移除所述开口所暴露的所述第一导体层与所述介电层。

3.如权利要求2所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，其中所述牺牲间隙壁的材料包括氮氧化硅、氧化硅或氮化硅。

4.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，还包括：

在所述栅极结构与所述漏极区之间的所述基底中形成第一淡掺杂区，并于所述栅极结构与所述源极区之间的所述基底中形成第二淡掺杂区。

5.如权利要求4所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，其中所述第一淡掺杂区环绕所述第二沟槽的周围。

6.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，其中所述第一导电型为N型，所述第二导电型为P型；或所述第一导电型为P型，所述第二导电型为N型。

7.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，还包括：

在形成所述间隙壁之前，于所述栅极结构的两侧以及所述第二沟槽上形成衬氧化层。

8.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，还包括：

在所述基底中形成至少一个隔离结构。

9.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，其中所述间隙壁的材料为包括氮氧化硅、氧化硅或氮化硅。

10.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，其中所述第一导体层的材料包括多晶硅。

11.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，其中所述第二导体层的材料包括金属材料。

12.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，其中所述粘着层的材料包括金属、金属硅化物或金属氮化物。

13.如权利要求10所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，其中所述多晶硅为掺杂多晶硅。