[发明专利]一种磁记忆多提离值管道内检测系统及其检测方法有效

专利信息
申请号: 201610079385.4 申请日: 2016-02-04
公开(公告)号: CN105738467B 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 陈世利;杨雨涵;黄新敬 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G01N27/83 分类号: G01N27/83
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 琪琛
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 记忆 多提离值 管道 检测 系统 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种磁记忆多提离值管道内检测系统,其特征在于,包括底座,所述底座上环形均布有多个弹性组件,每个所述弹性组件的末端嵌装有磁路模块;

所述弹性组件采用由弹性不导磁材料制成的柔性铰链平行四杆机构,所述弹性组件的末端与被测管道内壁接触的外侧面呈完全适配于管道内壁的圆弧形,且该圆弧形外侧面与管道内壁为过盈配合;

所述磁路模块包括水平方向等间距布置且竖直方向等间隔的3-5级磁场传感器,即3-5级所述磁场传感器的提离值逐级差值相等,以能够采集多提离值下的磁场信号;当内检测系统在管道内运行时,3-5级所述磁场传感器依次通过;

所述磁路模块中提离值最大的所述磁场传感器直接固定于底层电路板,其他提离值的所述磁场传感器通过转接电路板固定于所述底层电路板,以使3-5级所述磁场传感器在竖直方向上逐级相差等高。

2.根据权利要求1所述的一种磁记忆多提离值管道内检测系统,其特征在于,所述底座上环形均布有6-12个所述弹性组件。

3.根据权利要求1所述的一种磁记忆多提离值管道内检测系统,其特征在于,所述磁路模块以整体灌胶的方式封装固定于所述弹性组件末端设置的凹槽中。

4.根据权利要求1所述的一种磁记忆多提离值管道内检测系统,其特征在于,所述弹性组件的末端与被测管道内壁接触的外侧面设置为耐磨材料。

5.根据权利要求1所述的一种磁记忆多提离值管道内检测系统,其特征在于,提离值最大的所述磁场传感器,其提离值为3-5mm。

6.根据权利要求5所述的一种磁记忆多提离值管道内检测系统,其特征在于,多级所述磁场传感器的提离值逐级相差1mm。

7.根据权利要求1所述的一种磁记忆多提离值管道内检测系统,其特征在于,提离值最小的所述磁场传感器紧贴于所述弹性组件末端所设置凹槽的内顶面。

8.一种磁记忆多提离值管道内检测方法,其特征在于,采用如权利要求1-7中任一项所述的磁记忆多提离值管道内检测系统进行,包括如下步骤:

(1)将检测系统作为一个检测节连接到清管器上形成管道内检测器,保证检测系统的所述底座和清管器同轴,并且将每个所述磁路模块通过导线与清管器的电子控制舱相连;所述弹性组件末端的圆弧形外侧面与管道内壁为过盈配合,在检测过程中每个所述磁路模块的各级磁场传感器提离值保持不变,并且始终检测管管道内壁磁场的切向与法向分量;

(2)管道内检测器运行时,多级所述磁场传感器在轴向上依次通过同一管道位置,以检测里程为横轴,磁场强度为纵轴,分别得到多级所述磁场传感器的磁场信号曲线;

(3)由于多级所述磁场传感器在水平方向上等间距,将磁场信号曲线在横轴上进行平移,得到被测管道在不同提离值下对应于相同位置的磁场信号曲线;

(4)对相邻的每两条磁场信号曲线做差,得到相邻磁场信号曲线的差值数据;

(5)对步骤(4)得到的差值数据求方差并得到方差曲线,在方差曲线上出现尖峰的位置表示方差产生突变,即为焊缝位置或缺陷位置。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610079385.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top