[发明专利]一种用于低压电压测量电路的抗高压保护电路

权利要求书

1.一种用于低压电压测量电路的抗高压保护电路，包括电压输入端和电压输出端，串联在所述电压输入端与电压输出端之间的耐压电路，以及连接到所述电压输出端的限压电路，所述电压输出端连接到低压电压测量电路，其特征在于，所述耐压电路包括具有第一输入端和第一输出端的第一耐压单元和具有第二输入端和第二输出端的第二耐压单元，其中：

第一耐压单元还包括在第一输入端和第一输出端之间依次连接的作为耐压器件的N沟道耗尽型FET管和作为限流器件的N沟道JFET管，N沟道耗尽型FET管的漏极连接到第一输入端，N沟道耗尽型FET管的源极与N沟道JFET管的漏极连接，N沟道耗尽型FET管的栅极与N沟道JFET管的栅极连接，N沟道耗尽型FET管的栅极与N沟道JFET管的栅极的交接处再连接到N沟道JFET管的源极，N沟道JFET管的源极连接到第一输出端；

第二耐压单元还包括在第二输入端和第二输出端之间依次连接的作为限流器件的N沟道JFET管和作为耐压器件的N沟道耗尽型FET管，N沟道JFET管的源极连接第二输入端，N沟道JFET管的漏极与N沟道耗尽型FET管的源极连接，N沟道JFET管的栅极与N沟道耗尽型FET管的栅极连接，N沟道JFET管的栅极和N沟道耗尽型FET管的栅极的交接处再连接到N沟道JFET管的源极，N沟道耗尽型FET管的漏极连接到第二输出端；

在所述耐压电路中，一个或多个第一耐压单元和一个或多个第二耐压单元可任意串联连接在所述电压输入端和电压输出端之间。

2.根据权利要求1所述的用于低压电压测量电路的抗高压保护电路，其特征在于，在所述耐压电路中，一个第一耐压单元和一个第二耐压单元串联组成耐压单元组，一个或多个耐压单元组串联连接在所述电压输入端和电压输出端之间。

3.根据权利要求2所述的用于低压电压测量电路的抗高压保护电路，其特征在于，所述第一耐压单元和第二耐压单元还包括由稳压管组成的保护电路，稳压管的阳极与N沟道JFET管的源极和栅极的交接处相连，稳压管的阴极与N沟道耗尽型FET管的源极和N沟道JFET管的漏极的交接处相连，所述保护电路保护N沟道JFET管不受瞬时高压的损害。

4.根据权利要求1至3任一项所述的用于低压电压测量电路的抗高压保护电路，其特征在于，所述限压电路包括由正钳位电压单元与第一二极管的阴极相连而形成的正限压电路以及负钳位电压单元与第二二极管的阳极相连而形成的负限压电路，其中，所述第一二极管的阳极与第二二极管的阴极连接在一起，第一二极管的阳极与第二二极管的阴极的交接处连接到所述电压输出端。

5.一种用于低压电压测量电路的抗高压保护电路，包括电压输入端和电压输出端，串联在所述电压输入端与电压输出端之间的耐压电路，以及连接到所述电压输出端的限压电路，所述电压输出端连接到低压电压测量电路，其特征在于，所述耐压电路包括具有第一输入端和第一输出端的第一耐压单元或具有第二输入端和第二输出端的第二耐压单元，其中：

第一耐压单元还包括在第一输入端和第一输出端之间依次连接的作为耐压器件的N沟道耗尽型FET管和作为限流器件的N沟道JFET管，N沟道耗尽型FET管的漏极连接到第一输入端，N沟道耗尽型FET管的源极与N沟道JFET管的漏极连接，N沟道耗尽型FET管的栅极与N沟道JFET管的栅极连接，N沟道耗尽型FET管的栅极与N沟道JFET管的栅极的交接处再连接到N沟道JFET管的源极，N沟道JFET管的源极连接到第一输出端；

第二耐压单元还包括在第二输入端和第二输出端之间依次连接的作为限流器件的N沟道JFET管和作为耐压器件的N沟道耗尽型FET管，N沟道JFET管的源极连接第二输入端，N沟道JFET管的漏极与N沟道耗尽型FET管的源极连接，N沟道JFET管的栅极与N沟道耗尽型FET管的栅极连接，N沟道JFET管的栅极和N沟道耗尽型FET管的栅极的交接处再连接到N沟道JFET管的源极，N沟道耗尽型FET管的漏极连接到第二输出端；

在所述耐压电路中，一个或多个第一耐压单元或一个或多个第二耐压单元可任意串联连接在所述电压输入端和电压输出端之间。