[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部和横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分鳍部的顶部表面和侧壁；

在所述栅极结构两侧侧壁形成牺牲侧墙；

形成覆盖所述牺牲侧墙侧壁的第二侧墙，所述牺牲侧墙和第二侧墙覆盖的鳍部为负遮盖区，其中，所述牺牲侧墙和第二侧墙均接触式的设置在鳍部上；

在所述栅极结构、牺牲侧墙和第二侧墙一侧的鳍部中形成源区，在所述栅极结构、牺牲侧墙和第二侧墙另一侧的鳍部中形成漏区；

在所述半导体衬底和所述鳍部上形成覆盖所述第二侧墙侧壁的层间介质层后，去除所述栅极结构和源区之间的牺牲侧墙，形成开口；

形成填充满所述开口的第一侧墙，所述第一侧墙的介电常数大于第二侧墙的介电常数且大于牺牲侧墙的介电常数，由于在栅极结构和源区之间的负遮盖区上形成较高介电常数材料的第一侧墙和覆盖第一侧墙的具有较低介电常数材料的第二侧墙，且在栅极结构和漏区之间的负遮盖区上形成较低介电常数的侧墙，包括：栅极结构和漏区之间的牺牲侧墙和第二侧墙，以在减小栅极结构和源区、漏区之间的寄生电容的同时，提升具有负遮盖区的鳍式场效应晶体管的驱动电流。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的介电常数为10～50。

3.根据权利要求2所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料为HfO₂、HfSiON或HfAlO₂。

4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述第一侧墙的工艺为旋转涂覆工艺。

5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述牺牲侧墙的介电常数为1.5～5，所述第二侧墙的介电常数为1.5～5，且所述第二侧墙的材料不同于牺牲侧墙的材料。

6.根据权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述牺牲侧墙的材料为不定型碳或氧化硅。

7.根据权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙的材料为氮化硅或氮氧化硅。

8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述栅极结构和源区之间的牺牲侧墙的工艺为干刻工艺。

9.根据权利要求1至8任意一项形成的鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

鳍部，位于所述半导体衬底上；

栅极结构，横跨所述鳍部，所述栅极结构覆盖部分鳍部的顶部表面和侧壁；

源区，位于所述栅极结构一侧的鳍部中；

漏区，位于所述栅极结构另一侧的鳍部中；

负遮盖区，位于栅极结构和源区、及栅极结构和漏区之间鳍部中；

第一侧墙，覆盖所述栅极结构一侧的侧壁且位于所述栅极结构和源区之间；

牺牲侧墙，位于所述栅极结构另一侧侧壁且位于所述栅极结构和漏区之间；

第二侧墙，位于栅极结构和源区、及栅极结构和漏区之间，且覆盖第一侧墙的侧壁和牺牲侧墙的侧壁，第一侧墙和第二侧墙覆盖所述负遮盖区，其中，所述牺牲侧墙，第一侧墙和第二侧墙均接触式的设置在鳍部上；

层间介质层，位于半导体衬底和所述鳍部上且覆盖所述第二侧墙的侧壁。