[发明专利]表面安装型电阻桥的封装结构和封装工艺

权利要求书

1.一种表面安装型电阻桥的封装结构，包括半导体电阻桥芯片(1)，其特征在于，所述半导体电阻桥芯片(1)包括上端面边缘的引出端焊盘(11)、上端面中部的电阻桥区(12)和下端面的绝缘层(13)，所述引出端焊盘(11)与电阻桥区(12)相联；所述半导体电阻桥芯片(1)靠近引出端焊盘(11)两侧端面由粘接层(3)通过粘接的方式与金属电极(2)固定；所述引出端焊盘(11)与金属电极(2)上端面通过金属引线(4)相连接；所述引出端焊盘(11)、金属引线(4)和金属电极(2)上端面用包封胶(5)包封，半导体电阻桥芯片(1)上端面的电阻桥区(12)无包封胶(5)。

2.根据权利要求1所述的表面安装型电阻桥的封装结构，其特征在于，所述金属电极(2)的上表面为可焊性优良的焊料涂镀层，所述金属电极(2)的表面镀敷层结构材料为镍-金或镍-钯金。

3.根据权利要求1所述的表面安装型电阻桥的封装结构，其特征在于，所述金属引线(4)通过热压球焊、超声楔焊或载带自动焊的方式将半导体电阻桥芯片(1)的引出端焊盘(11)与金属电极(2)互连起来。

4.根据权利要求1所述的表面安装型电阻桥的封装结构，其特征在于，所述半导体电阻桥芯片(1)下端面的绝缘层(13)是圆片时制作厚度为几微米到几十微米且能经受住电阻桥使用中可能的焊接温度的有机膜或玻璃。

5.根据权利要求1所述的表面安装型电阻桥的封装结构，其特征在于，所述粘接层(3)为绝缘性有机胶或玻璃，厚度在几十微米到几百微米。

6.一种表面安装型电阻桥的封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1)：芯片分离，将半导体电阻桥圆片减薄到表面安装尺寸需要的厚度，在半导体电阻桥圆片背面制作几到几十微米厚度的绝缘层(13)，其中，绝缘层(13)为聚酰亚胺、环氧树脂或SiO2层；将半导体电阻桥圆片采用金刚砂轮划片机或激光划片机切割分离出单颗半导体电阻桥芯片(1)；

步骤2)：金属电极制作，采用模具冲制或刻蚀出半导体电阻桥安装需要的尺寸金属电极(2)，并在金属电极(2)的表面镀上镍-金或镍-钯金层；

步骤3)：将半导体电阻桥芯片(1)靠近引出端焊盘(11)两侧端面通过几十微米到几百微米厚度的材料为绝缘性环氧树脂或玻璃的粘接层(3)与金属电极(2)粘接，并且保证半导体电阻桥芯片(1)下端面和金属电极(2)的下端面共面、半导体电阻桥芯片(1)侧面和金属电极(2)的侧面呈直线；

步骤4)：互连，将粘接好后的半导体电阻桥芯片(1)与金属电极(2)采用氩-氢离子进行清洗，然后用金属引线(4)将半导体电阻桥芯片(1)上端面边缘的引出端焊盘(11)与同侧的金属电极(2)上端面相互连接；

步骤5)：包封，将半导体电阻桥芯片(1)上端面边缘的引出端焊盘(11)、金属引线(4)和金属电极(2)上端面用包封胶(5)包封并固化；

步骤6)：检测，对封装半导体电阻桥进行外观检查、性能测试以及代码标识打印。