[发明专利]一种高性能精细化透明导电电极的制备方法

权利要求书

1.一种高性能精细化透明导电电极的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

(1)通过非接触式一维纳米材料阵列的大面积组装方法获得单方向有序排列的金属纳米线阵列，并在与阵列垂直的方向采用所述非接触式一维纳米材料阵列的大面积组装方法，获得垂直方向有序排列的金属纳米线阵列，组成的垂直交叉结构构成了金属纳米线透明导电网络；

(2)对金属纳米线透明导电网络进行精细化刻蚀，并选择与有序排布的金属纳米线平行的方向作为刻蚀方向，充分保留沿着刻蚀方向的金属纳米线的完整性，刻蚀后获得具有精细结构的透明导电电极。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，通过采用非接触式一维纳米材料阵列的大面积组装方法，降低了金属纳米线的团聚现象，获得了更均匀的金属纳米线网络。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，导电纳米材料为银纳米线、铜纳米线、合金纳米线或者其复合材料。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述金属纳米线透明导电网络的方阻为5Ω/sq～100Ω/sq。

5.如权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，采用标准光刻工艺或激光直写刻蚀工艺对所述金属纳米线透明导电网络进行刻蚀。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，采用纳秒激光脉冲、皮秒激光脉冲以及飞秒激光脉冲作为光源进行刻蚀，从而控制线条刻蚀边缘的平滑性及刻蚀的速率。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，激光脉冲的激光功率小于50mJ/cm²；从而防止激光能量过高对于非刻蚀区的热影响。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)之后还包括步骤(3)，对不同宽度和厚度的所述精细化透明导电电极进行电学性能测试。