[发明专利]一种挽救纪伊潮菊组培苗霉菌污染的方法在审
| 申请号： | 201610080334.3 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105519443A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 王少荣 | 申请（专利权）人： | 王少荣 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 233000 安徽省蚌*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 挽救 纪伊潮菊组培苗 霉菌 污染 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种挽救纪伊潮菊组培苗霉菌污染的方法，其特征是，它包括以下技术环节：
①污染瓶中消毒：将纪伊潮菊组培污染瓶放在超净工作台上，打开瓶盖将0.1%升汞倒入瓶中至淹没培养基表面进行消毒处理；
②污染苗消毒：用剪刀将瓶中纪伊潮菊苗的中上部分剪下放入0.1%升汞中处理，消毒后用无菌水冲洗3-4次；
③接种：用剪刀将消毒后的纪伊潮菊苗剪成0.5cm长左右的茎段，用镊子将茎段接种到另一培养基瓶中，每瓶接种2个茎段；
④培养：将接种好的组培瓶放入组培室中培养，培养温度20-25℃，光照强度2000lx，光照时间12h/d。
2.根据权利要求1所述的一种挽救纪伊潮菊组培苗霉菌污染的方法，其特征是，所述升汞淹没培养基表面高度为0.2-0.5cm。
3.根据权利要求1所述的一种挽救纪伊潮菊组培苗霉菌污染的方法，其特征是，所述的升汞消毒培养基时间为5-8min。
4.根据权利要求1所述的一种挽救纪伊潮菊组培苗霉菌污染的方法，其特征是，所述的升汞消毒纪伊潮菊苗时间为1-2min。
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