[发明专利]功率器件及制备方法有效
申请号: | 201610082487.1 | 申请日: | 2016-02-05 |
公开(公告)号: | CN107046010B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 张晓天;雪克·玛力卡勒强斯瓦密;牛志强;胡照群;何约瑟 | 申请(专利权)人: | 万国半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/488;H01L23/367;H01L21/50 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 董科 |
地址: | 美国加利福尼亚州940*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 器件 制备 方法 | ||
1.一种功率器件,其特征在于,包括:
一个基板及定义在其正面的第一和第二安装区域,其中在该基板的正面设置有一个结合垫及在该基板的背面设置有一个第一金属焊垫和多个引脚垫,并且还在基板上设置有多条布线以及有贯穿基板的多个互连结构;
布局在第一安装区域的一部分焊盘和布局在第二安装区域的一部分焊盘通过布线连接,第一安装区域的一部分焊盘通过互连结构连接到第一金属焊垫上,第二安装区域的一部分焊盘通过布线和互连结构连接到引脚垫上;
一个倒装在第一安装区域的第一晶片,第一晶片正面的金属衬垫与位于第一安装区域的焊盘对接;一个倒装在第二安装区域的第二晶片,第二晶片正面的金属衬垫与位于第二安装区域的焊盘对接;
连接在结合垫和第一晶片背面的金属层之间的导电结构,以及覆盖在基板正面的一个将第一、第二晶片和导电结构包覆在内的塑封体;第一安装区域布局有第一、第二套焊盘,第二安装区域布局有第三至第六套焊盘;其中
第三套焊盘中的一部分焊盘与第一套焊盘中一个或多个焊盘电连接,第三套焊盘中还有一部分焊盘与第二套焊盘中一个或多个焊盘电连接;
第四套焊盘中一个或多个焊盘通过布线和埋设在基板内的互连结构一对一地电连接到一个或多个引脚垫上;
第五套焊盘中的每一个焊盘都通过基板上的布线与结合垫电连接,并且结合垫经由埋设在基板内的互连结构电连接到一个或多个引脚垫;以及
第六套焊盘中的每一个焊盘都通过基板上的布线和设在基板内的互连结构一对一地电连接到一个或多个引脚垫。
2.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于,在该基板的背面还设置有一个第二金属焊垫,第五套焊盘中的一个或多个焊盘通过互连结构连接到第二金属焊垫上。
3.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于,在该基板的背面还设置有一个第二金属焊垫,第六套焊盘中的一个或多个焊盘通过互连结构连接到第二金属焊垫上。
4.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于,第一晶片正面的一个第一金属衬垫对应焊接到第一套焊盘中的一个或多个焊盘上,第一晶片正面的一个第二金属衬垫对应焊接到第二套焊盘中的一个或多个焊盘上。
5.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于,第二晶片正面的一个或多个第三金属衬垫一对一地对应焊接到第五套焊盘中的一个或多个焊盘上,第二晶片正面的一个或多个第四金属衬垫一对一地对应焊接到第六套焊盘中的一个或多个焊盘上;
以及第二晶片正面的多个第五金属衬垫一对一地焊接到第三和第四套焊盘中的多个焊盘上。
6.根据权利要求4所述的功率器件,其特征在于,第一晶片包括一个第一MOSFET,其第一金属衬垫为第一MOSFET的栅极,第二金属衬垫为第一MOSFET的源极,第一晶片背面的金属层为第一MOSFET的漏极。
7.根据权利要求5所述的功率器件,其特征在于,第二晶片集成有一个控制电路和一个第二MOSFET,第三金属衬垫为第二MOSFET的源极,第四金属衬垫为第二MOSFET的漏极,第五金属衬垫为控制电路的输入或输出端子。
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