[发明专利]一种激光器阵列的制作方法及激光器阵列

权利要求书

1.一种激光器阵列的制作方法，其特征在于，包括：

利用重构-等效啁啾技术制备用于构成激光器阵列的无源芯片；

制备用于构成激光器阵列的外延片；

利用芯片键合技术对所述无源芯片和外延片进行键合；

通过后续工艺，制备激光器阵列；所述后续工艺包括对所述外延片进行刻蚀和沉积金属工艺。

2.如权利要求1所述方法，其特征在于，利用重构-等效啁啾技术制备用于构成激光器阵列的无源芯片，包括：

在无源衬底上制备硅波导层以及硅波导层上包含等效相移结构的光栅结构；其中所述硅波导层满足预设的硅波导尺寸，所述等效相移结构满足预设的相移尺寸，所述光栅结构满足预设的光栅尺寸。

3.如权利要求2所述方法，其特征在于，在无源衬底上制备硅波导层以及硅波导层上包含等效相移结构的光栅结构，包括：

采用全息曝光的方式，将均匀的种子光栅制作在硅波导层上；

利用接触式光刻将采样结构制作到硅波导层。

4.如权利要求2所述方法，其特征在于，在无源衬底上制备硅波导层以及硅波导层上包含等效相移结构的光栅结构，包括：

使用全息曝光的方式，在光刻掩模材料上制作均匀的种子光栅，得到具备种子光栅结构的光刻掩模材料；

在所述具备种子光栅结构的光刻掩模材料上，制作采样结构和硅波导结构，得到具备采样结构和硅波导结构的光刻掩模材料；

利用具备采样结构和硅波导结构的光刻掩模材料，制作具备采样光栅和硅波导的硅波导层。

5.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述芯片键合技术包括但不限于下述至少一种：

直接键合技术；

介质键合技术。

6.如权利要求5所述方法，其特征在于，若所述键合技术为介质键合技术，则利用芯片键合技术对所述无源芯片和外延片进行键合，包括：

在无源芯片和外延片上均沉积二氧化硅；

利用粘合介质对沉积有二氧化硅的无源芯片和外延片进行键合。

7.如权利要求6所述方法，其特征在于，利用粘合介质对沉积有二氧化硅的无源芯片和外延片进行键合，包括：

将所述外延片的n型材料面与所述无源芯片的硅波导面进行键合。

8.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述外延片包括但不限于下述至少一种：

铟磷外延片；

镓砷外延片。

9.如权利要求1所述方法，其特征在于，通过对所述外延片进行刻蚀，制备激光器阵列，包括：

对所述外延片的波导进行刻蚀，形成符合预定外延片波导尺寸的外延片波导；

所述预定外延片波导尺寸的外延片波导和无源芯片上的硅波导形成模式变换结构；

所述模式变换结构，为用以实现外延片波导和硅波导之间光耦合的结构。

10.一种激光器阵列，其特征在于：

所述激光器阵列是根据权利要求1～9任一方法获得的。