[发明专利]一种基于钙钛矿材料的发光二极管的制备方法

权利要求书

1.一种基于钙钛矿材料的发光二极管的制备方法，所述发光二极管由表层向里层依次包括透明基底层、透明导电电极、电子阻挡层或空穴阻挡层、钙钛矿吸光层、空穴阻挡层或电子阻挡层以及金属导电层，其特征在于，包括在所述电子阻挡层或空穴阻挡层上沉积钙钛矿吸光层的方法，整个沉积过程在纯氮气环境中进行，环境气压为1~2大气压，环境温度为20~30摄氏度，所述沉积方法主要包括以下步骤：

第一步，溶解、合成络合物，

在20~25摄氏度室温和标准大气压的条件下，将无水溴化铅粉末与二甲基亚矾或N,N-二甲基甲酰胺溶剂按照配比为4~6 mg对应10~100mL的比例混合，搅拌5~10分钟，使得无水溴化铅粉末完全溶解于二甲基亚矾溶剂或N,N-二甲基甲酰胺溶剂中，得到溶液A；

或者，在20~25摄氏度室温和标准大气压的条件下，将无水溴化铅粉末与甲胺的四氢呋喃溶液按照配比为4~6 mg对应10~100mL的比例混合，搅拌5~10分钟，使得无水溴化铅粉末完全溶解于甲胺的四氢呋喃溶液中，得到溶液A；

其中，所述无水溴化铅粉末、化学通式为PbBr₂；

第二步，将所述溴化铅络合物溶解于N,N-二甲基甲酰胺溶剂，搅拌5~10分钟，得到溶液B，溶液B的浓度为0.05~0.5摩尔/升；

第三步，将甲基溴化铵按照30~60mg/mL的质量/体积比例溶解于异丙醇溶剂中（简称IPA）形成溶液C；

第四步，将溶液B加热到60~80摄氏度并保持不断搅拌；

第五步，取适量加热到60~80摄氏度的溶液B，迅速均匀涂抹在电子阻挡层或空穴阻挡层的表面，涂抹的方式包括但不限于旋涂、刀片刮涂、棒式涂布、夹缝式挤压型涂布、喷涂、喷墨印刷中至少一种；

第六步，在涂抹溶液B形成的薄膜上再涂抹溶液C；

第七步，然后，将涂抹了溶液B和C的薄膜在70~100摄氏度下加热10~120分钟，形成钙钛矿吸光层，即半导体发光层。

2.如权利要求1所述的基于钙钛矿材料的发光二极管的制备方法，其特征在于，在第四步骤中，溶液B中的溶剂挥发后形成的薄膜厚度为10~20纳米，在电子阻挡层或空穴阻挡层的表面涂抹溶液B后的静置条件：室温~100摄氏度，30~90秒，溶液B内的溶剂基本挥发；在第五步骤中，涂抹溶液C后的静置条件：放置20~60秒，溶液C内的溶剂基本挥发。