[发明专利]一种高晶体质量的氮化物外延生长的方法

权利要求书

1.一种高晶体质量的氮化物外延生长的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)提供一衬底；

(b)在第一温度下，在所述衬底一表面外延生长第一氮化物层；

(c)中止生长，降温，同时通入氯气刻蚀；

(d)在第二温度下，在所述第一氮化物层表面外延生长第二氮化物层，其中，所述第一温度大于所述第二温度；

(e)中止生长，升温，同时通入氯气刻蚀；

(f)在所述第一温度下，在所述第二氮化物层表面外延生长第一氮化物层；

(g)循环进行步骤(c)～(f)，形成周期性的氮化物层。

2.根据权利要求1所述的高晶体质量的氮化物外延生长的方法，其特征在于，在步骤(b)中，所述第一温度范围为1020～1150℃。

3.根据权利要求1所述的高晶体质量的氮化物外延生长的方法，其特征在于，在步骤(d)中，所述第二温度范围为850～1010℃。

4.根据权利要求1所述的高晶体质量的氮化物外延生长的方法，其特征在于，所述第一氮化物层的厚度为0.1μm～1μm。

5.根据权利要求1所述的高晶体质量的氮化物外延生长的方法，其特征在于，所述第二氮化物层的厚度为0.1μm～1μm。

6.根据权利要求1所述的高晶体质量的氮化物外延生长的方法，其特征在于，在步骤(g)中，循环次数为1～100次。

7.根据权利要求1所述的高晶体质量的氮化物外延生长的方法，其特征在于，在步骤(b)之前，进一步包括一在衬底表面生长过渡层的步骤，在步骤(b)中，在所述过渡层的表面外延生长第一氮化物层。

8.根据权利要求1所述的高晶体质量的氮化物外延生长的方法，其特征在于，所述第一氮化物层及第二氮化物层的氮化物为氮化镓、氮化铝、氮化铝镓、氮化镓铟、氮化铝铟、氮化铝镓铟及其组合。

9.根据权利要求1所述的高晶体质量的氮化物外延生长的方法，其特征在于，在步骤(c)及步骤(e)中，所述氯气的流量为1标准升/分钟～100标准升/分钟。

10.根据权利要求9所述的高晶体质量的氮化物外延生长的方法，其特征在于，在步骤(c)及步骤(e)中，所述中止生长的时间为10秒～60分钟。