[发明专利]具有输出补偿的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一放大器，具有一输出端；

一通过晶体管，具有一栅极与一输出端，该栅极耦接至该放大器的该输出端，该通过晶体管的该输出端耦接至一负载；

一补偿电路，耦接于该放大器的该输出端与该通过晶体管的该输出端之间，该补偿电路的阻抗可变；以及

一偏压产生电路，耦接于该通过晶体管的该输出端与该补偿电路之间；

其中，该补偿电路包括一可变阻抗装置，该可变阻抗装置包括一可变电阻，该可变电阻包括一补偿晶体管；

该偏压产生电路包括为二极管连接架构的一信号产生晶体管，该信号产生晶体管的一栅极与一源极或一漏极之一被耦合至该补偿晶体管的栅极，且该信号产生晶体管的源极或漏极的另一耦合至该补偿晶体管的源极；

该偏压产生电路耦接于该补偿晶体管的栅极与源极之间，产生补偿控制信号以根据所感应的负载电流而调整该补偿晶体管的阻抗。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该补偿电路还包括：

一电容，串联于该可变阻抗装置，且该偏压产生电路产生一偏压以调整该可变阻抗装置的一阻抗。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该补偿晶体管的一栅极耦合至该偏压产生电路，以接收该偏压。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

该信号产生晶体管的源极或漏极的另一耦合至该通过晶体管的该输出端。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，更包括：

一电流感应电路，耦合至该通过晶体管的该栅极，且感应该负载的一负载电流。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中该电流感应电路包括一感应晶体管，该感应晶体管的一栅极耦合至该通过晶体管的该栅极。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该通过晶体管的该输出端耦合至该放大器的一输入端。

8.一种半导体装置，包括：

一放大器；

一通过晶体管，该通过晶体管的一栅极耦接至该放大器的一放大输出端，该通过晶体管的一源极或一漏极耦接至该半导体装置的一装置输出端；

一补偿晶体管，耦接于该放大输出端与该装置输出端之间；

一电流感应电路，耦合至该通过晶体管的该栅极，且感应该半导体装置的一负载电流；以及

一偏压产生电路，耦接于该补偿晶体管的一栅极与一源极之间，该偏压产生电路产生一补偿控制信号以根据所感应的该负载电流而调整该补偿晶体管的一阻抗；

其中，该偏压产生电路包括为二极管连接架构的一偏压产生晶体管，该偏压产生晶体管的一栅极与一源极或一漏极之一被耦合至该补偿晶体管的该栅极，且该偏压产生晶体管的该源极或该漏极的另一耦合至该补偿晶体管的该源极。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，该补偿晶体管的该源极耦合至该装置输出端，且该补偿晶体管的一漏极耦合至该放大输出端。