[发明专利]一种用于制备半导体电热膜的组合物、电热膜及制备方法

权利要求书

1.一种用于制备半导体电热膜的组合物，其特征在于，所述组合物由下列重量份组成：四氯化锡15-20份，四氯化镍6-10份，石墨10-30份，三氯化锑3-6份，四氯化钛0.2-0.4份，三氧化二锑0.2-0.6份，富勒烯0.1-0.8份，硼酸0.1~1.5份，氟硼酸0.1-1.5份，氯化钠0.3-0.5份，水3-6份，甲苯2-4份，乙醇30-50份。

2.权利要求1所述的用于制备半导体电热膜的组合物，其特征在于，优选四氯化锡18-20份，四氯化镍8-10份，石墨10-20份。

3.权利要求1或2所述的用于制备半导体电热膜的组合物，其特征在于，优选富勒烯0.3-0.6份，硼酸0.8-1.2份，氟硼酸0.9-1.5份。

4.一种制备半导体电热膜的方法，其特征在于：

（1）配制源溶液：根据上述所述的用于制备半导体电热膜的组合物称取原料，混合搅拌均匀，即得半导体电热膜源溶液；

（2）基材的清洗：将基材用蒸馏水清洗干净，烘干待用；

（3）喷涂步骤：将基材置于加热腔体内，加热腔温度控制在400-550℃，待基材表面温度达到350-400℃，将步骤（1）中所得的半导体电热膜源溶液雾化喷涂至基材表面；

（4）浸渍成膜：将经步骤（3）处理的基材浸入步骤（1）所得的半导体电热膜源溶液中，然后提拉成膜；

（5）热处理：将步骤（4）处理后的基材在约900-1000℃下热处理30-60min，自然冷却至室温，获得半导体电热膜。

5.一种半导体电热膜，其特征在于采用权利要求4的方法制备而成。

6.根据权利要求5所述的半导体电热膜，其特征在于，所述半导体电热膜在基材上的附着力为180-200N,泄漏电流小于0.10mA。