[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置在审
| 申请号： | 201610087214.6 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN107086171A | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾;徐小平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有伪栅极结构，在所述伪栅极结构的两侧形成有侧壁结构；
在所述半导体衬底上形成层间介电层，覆盖所述伪栅极结构和所述侧壁结构；
对所述层间介电层实施等离子体预处理，以改善所述层间介电层的表面状况和机械强度；
去除所述伪栅极结构，在形成的沟槽中形成高k-金属栅极结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述伪栅极结构包括自下而上层叠的牺牲栅介电层和牺牲栅电极层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述层间介电层之后，还包括执行化学机械研磨直至露出所述伪栅极结构的顶部的步骤。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述层间介电层之前，还包括在所述半导体衬底上形成接触孔蚀刻停止层，覆盖所述伪栅极结构和所述侧壁结构的步骤。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体预处理的气源包括NF3、N2、Cl2、Br2、HCl、HBr、He或Ar，NF3的流量为5sccm-200sccm，Cl2的流量为5sccm-200sccm。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过实施干法蚀刻，依次去除所述牺牲栅电极层和所述牺牲栅介电层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，去除所述牺牲栅介电层的干法蚀刻为SiCoNi蚀刻，所述SiCoNi蚀刻对所述牺牲栅介电层和所述半导体衬底具有高选择性。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高k-金属栅极结构包括自下而上层叠的界面层、高k介电层、覆盖层、阻挡层、功函数设定金属层、浸润层和金属栅极材料层。
9.一种采用权利要求1-8之一所述的方法制造的半导体器件。
10.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求9所述的半导体器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
