[发明专利]一种霍山石斛立体式栽培方法

权利要求书

1.一种霍山石斛立体式栽培方法，所述方法包括：(一)栽培设施的准备； 其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

(二)苗床制作安置；包括以下步骤：

(1)钉制框架；

(2)钉制苗床板，带树皮的边板设置在框架上，并保证树皮朝外；

(三)石斛种苗栽培管理，包括以下步骤：

(1)定植种苗，将准备好的石斛种苗根部舒展开并覆盖上一层青苔，并设 置在苗床边板上；种苗扎根于相邻的边板上，且所述相邻的边板上不种，种苗 头朝上方，浇定根水；

(2)正常管理。

2.根据权利要求1所述的一种霍山石斛立体式栽培方法，其特征在于，所 述栽培设施的准备包括以下步骤：

(1)选择基地；

(2)整理基地，用挖机将选好的地块整理成平整的方形地块，然后用挖机 在整个基地的外围挖出主排水沟，将基地外围和内部的雨水和灌溉用水集中排 入基地附近的河道里；在基地的南北方向间隔挖出作为整排大棚雨水和灌溉用 水汇聚的排水沟，并与主排水沟相连通；

(3)搭建大棚，在基地上建造钢架大棚，在建造好的钢架大棚顶上覆盖一 层塑料无滴薄膜和遮荫度为70％的遮荫网，遮阳网覆盖在最上方；在两大棚之 间挖一条引流的水沟，水沟与对应的排水沟相连接，且沟深不超过排水沟的沟 深；在两排大棚之间的过道上方用70％的遮阳网遮阳，遮阳网扎到各个棚头上。

3.根据权利要求2所述的一种霍山石斛立体式栽培方法，其特征在于，所 述主排水沟的宽度为2米、深度为1.5～2米；所述排水沟的宽度为0.8米、深度 为0.5米，且南北方向隔间27米设置；紧邻排水沟东边铺一条宽1米的水泥路； 各水沟的边缘和沟底用小方砖和水泥砌起抹平；所述大棚呈东西方向搭建；所 述大棚的规格为长25米、宽8米、高4米，肩高2米，所述大棚的一端与排水 沟相距20cm，另一端与基地内部道路相连；大棚之间间隔1米的距离。

4.根据权利要求1所述的一种霍山石斛立体式栽培方法，其特征在于，所 述步骤(二)中钉制框架，将5cm宽的方木料钉好做成横竖间隔0.5m宽2m、 长5m的网络状框架；钉制苗床板，将宽10cm厚2cm、宽5cm厚2cm的两种带 树皮的长方形边板的长度平行于框架长度方向、并沿着框架的宽度方向交替设 置在框架上；苗床板呈倾斜状设置，将两块苗床板块背靠背，保证树皮朝外； 两块苗床板块上部固定、下部分开呈夹角立于地面上，侧面和地面呈等腰三角 形。

5.根据权利要求1所述的一种霍山石斛立体式栽培方法，其特征在于，将 做好的苗床按每组苗床横向间隔50cm，纵向间隔1米排放在大棚内，苗床与大 棚边缘留有50cm的道路。

6.根据权利要求5所述的一种霍山石斛立体式栽培方法，其特征在于，所 述苗床制作安置还包括安装喷灌；喷头悬挂安装在苗床的上方；将直径2.5cm、 长25米的3根塑料水管间隔2米均匀平行的用托木线整齐的悬挂在苗床上方 25cm处；将喷头间隔2米均匀安装到水管上，喷头朝下。

7.根据权利要求4所述的一种霍山石斛立体式栽培方法，其特征在于，将 石斛种苗根牢牢的钉到苗床的斜面10cm宽的边板上，5cm宽边板用于种苗扎根， 种苗头朝上方，间隔10cm。

8.根据权利要求1所述的一种霍山石斛立体式栽培方法，其特征在于，所 述正常管理包括以下步骤：

(8.1)定植后1周内空气湿度宜保持在80％～95％，1周后空气湿度保持在 70％～80％。

(8.2)在新根萌动后，喷施液体肥，浓度为0.1％，15天喷施1次。

9.根据权利要求8所述的一种霍山石斛立体式栽培方法，其特征在于，当 栽培床面偏干时，补充水分；大棚内温度白天保持在20～26℃，最低温不低于 4℃，最高温不高于35℃；夏天高温低湿，采取遮荫及喷灌进行降温加湿；冬季 气温低，通过加盖保温膜给大棚加温；用诱杀、人工捕杀或用茶麸浸出液喷雾 防治蜗牛；将生有菲盾蚧的老枝烧毁或用茶麸浸出液喷雾杀灭石斛菲盾蚧；清 除周边环境的杂草或喷螨危用以防治红蜘蛛。

10.根据权利要求8所述的一种霍山石斛立体式栽培方法，其特征在于， 步骤(8.2)中喷施的液体肥为磷酸二氢钾溶液、沼液的一种。