[发明专利]一种自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体及其生长方法

权利要求书

1.一种自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体，其特征在于，具有以下化学式组成： V_5xNd_3yY_3(1-y)Al_5(1-x)O₁₂，其中0<x≤0.02，0<y≤0.015。

2.一种如权利要求1所述自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体生长方法，其特征在于， 包括如下步骤：

S1、将含钒化合物、含钕化合物、含钇化合物、含铝化合物混合均匀后，进行压制得到化 学式为V_5xNd_3yY_3(1-y)Al_5(1-x)O₁₂的晶体生长初始原料；

S2、将化学式为V_5xNd_3yY_3(1-y)Al_5(1-x)O₁₂的晶体生长初始原料加热至熔融状态得到晶体 生长熔体，然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶 体。

3.根据权利要求2所述自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体生长方法，其特征在于，S1 的操作步骤为：将含钒化合物、含钕化合物、含钇化合物、含铝化合物混合均匀后，进行压 制，接着进行合成反应得到化学式为V_5xNd_3yY_3(1-y)Al_5(1-x)O₁₂的晶体生长初始原料。

4.根据权利要求3所述自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体生长方法，其特征在于，S1 中，合成反应为高温固相反应、液相合成或气相合成。

5.根据权利要求3或4所述自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体生长方法，其特征在于， S1的具体操作步骤为：按摩尔份将2.5x份V₂O₅、1.5y份Nd₂O₃、1.5(1-y)份Y₂O₃和2.5(1-x)份 Al₂O₃混合均匀后，进行煅烧得到化学式为V_5xNd_3yY_3(1-y)Al_5(1-x)O₁₂的晶体生长初始原料，煅烧 温度为900～1300℃，煅烧时间为48～200h。

6.根据权利要求2-5任一项所述自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体生长方法，其特征 在于，当自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体中某种元素的分凝系数为k，k＝0.01～1，则 其中m为S1中含该元素化合物的质量，n为该元素在V_5xNd_3yY_3(1-y)Al_5(1-x)O₁₂中所 含物质的量，M为含该元素化合物的摩尔质量。

7.根据权利要求2-6任一项所述自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体生长方法，其特征 在于，S2的熔体法晶体生长方法中，晶体生长气氛为空气气氛、氧气气氛、氩气气氛、氮气气 氛、二氧化碳气氛、一氧化碳气氛中的一种。

8.根据权利要求2-7任一项所述自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体生长方法，其特征 在于，S2中，熔体法晶体生长方法为提拉法、坩埚下降法、温梯法、热交换法、泡生法、顶部籽 晶法、助熔剂晶体生长方法中的一种。