[发明专利]一种硅刻蚀方法

权利要求书

1.一种硅刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在硅基片上制作刻蚀掩膜图形；

(2)将制作好所述刻蚀掩膜图形的硅基片放置在刻蚀机中进行刻 蚀；所述刻蚀机的下电极功率由100～1000Hz的脉冲电源产生，所述刻 蚀机的载片台温度为-120℃～-100℃。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述方法还包括以 下步骤：

(3)对刻蚀后的硅基片进行过刻蚀。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中 所述刻蚀机的载片台温度与所述步骤(2)中所述刻蚀机的载片台温度 相同。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蚀过程中， 所述脉冲电源的功率为3～30W，产生的脉冲信号的占空比为 10％～50％，所述刻蚀机的上电极功率为200～1000W，所述刻蚀机的真 空室压强为5～15mTorr，所述刻蚀机采用的SF₆气体的流量为 20～40sccm，所述刻蚀机采用的O₂气体的流量为5～30sccm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蚀过程中， 所述脉冲电源的功率为5W，所述脉冲电源的频率为500Hz，所述脉冲 电源产生的脉冲信号占空比为35％；所述刻蚀机的上电极功率为 400W，所述刻蚀机的真空室压强为5mTorr，所述刻蚀机采用的SF₆气 体的流量为20sccm，所述刻蚀机采用的O₂气体的流量为5sccm，所述 刻蚀机的载片台温度为-120℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蚀过程中， 所述脉冲电源的功率为5W，所述脉冲电源的频率为300Hz，所述脉冲 电源产生的脉冲信号占空比设为35％；所述刻蚀机的上电极功率为 400W，所述刻蚀机的真空室压强为9mTorr，所述刻蚀机采用的SF₆气 体的流量为30sccm，所述刻蚀机采用的O₂气体的流量为9sccm，所述 刻蚀机的载片台温度为-110℃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蚀过程中， 所述脉冲电源的功率为30W，所述脉冲电源的频率为1000Hz，所述脉 冲电源产生的脉冲信号占空比为50％；所述刻蚀机的上电极功率为 1000W，所述刻蚀机的真空室压强为15mTorr，所述刻蚀机采用的SF₆气体的流量为40sccm，所述刻蚀机采用的O₂气体的流量为20sccm， 所述刻蚀机的载片台温度为-100℃。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述过刻蚀过程 中，所述脉冲电源的功率为3W，所述脉冲电源的频率为500Hz，所述 脉冲电源产生的脉冲信号占空比设为10％；所述刻蚀机的上电极功率 为400W，所述刻蚀机的真空室压强为7mTorr，所述刻蚀机采用的SF₆气体的流量为20sccm，所述刻蚀机采用的O₂气体的流量为15sccm， 所述刻蚀机的载片台温度为-110℃。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子束胶为正 胶或者负胶。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中 在硅基片上制作刻蚀掩膜图形，包括：

在硅基片上涂覆电子束胶、曝光及显影。