[发明专利]一种OLED显示装置有效
| 申请号： | 201610087521.4 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN107086228B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 31272 上海申新律师事务所 | 代理人： | 俞涤炯<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201506 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 oled 显示装置 | ||
1.一种OLED显示装置，其特征在于，包括:
衬底；
电子传输层，设置在所述衬底之上；
阴极层，设置在所述电子传输层之上；以及
阴极活化层，设置在所述电子传输层与所述阴极层之间，且与所述阴极层至少部分接触，以将所述阴极层表面的金属氧化物还原为金属所述阴极活化层的材质为具有阴极活化层效应的材料，以对所述金属氧化物进行还原的同时，吸收并存储氧气。
2.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述具有阴极活化层效应的材料为C60或CeO2。
3.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述阴极活化层的厚度为1nm～5nm。
4.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述阴极层的材料为Mg、Ag、Al或镱。
5.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述OLED显示装置还包括：阳极层，设置在所述衬底与所述电子传输层之间；
空穴传输层，设置在所述阳极层与所述电子传输层之间；
发光层，所述发光层设置在所述电子传输层与所述空穴传输层之间；以及
封装层，设置在所述阴极层之上。
6.如权利要求5所述的OLED显示装置，其特征在于，所述OLED显示装置还包括：
空穴注入层，设置在所述阳极层与所述空穴传输层之间；
电子注入层，设置在所述电子传输层与所述阴极活化层之间。
7.如权利要求5所述的OLED显示装置，其特征在于，所述阳极层为复合膜。
8.如权利要求7所述的OLED显示装置，其特征在于，所述复合膜包括依次层叠的氧化铟锡/Ag/氧化铟锡。
9.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述电子传输层的材料为1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
