[发明专利]一种检测喜树碱分子印迹传感器的制备方法

权利要求书

1.一种检测喜树碱分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，该方法具有以下工艺步骤：

(1)玻碳电极预处理：将玻碳电极依次用0.1μmAl₂O₃粉末进行表面抛光，然后用高纯水超声清洗，用氮气吹干，将玻碳电极放入含γ―甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷质量百分浓度为10～15％的乙醇溶液中，温度升至45±2℃，浸泡10～12h，取出用无水乙醇充分洗涤，用氮气吹干，即得预处理玻碳电极；

(2)氧化石墨烯的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，浓硫酸：50～60％，石墨烯：3～8％，高锰酸钾：1.0～5％，超声分散20～30min，再加入32～42％去离子水，各组分含量之和为百分之百，温度升至65±2℃搅拌反应8～10h，冷却至室温，过滤，用去离子水反复洗涤至滤液为中性，真空干燥，得到氧化石墨烯；

(3)印迹溶胶的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，N,N-二甲基甲酰胺：70～80％，氧化石墨烯：2～5％，丙烯酸：8～18％，三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯：4～12％，偶氮二异庚腈：0.5～2.0％，氯金酸：0.1～1.0％，搅拌30～40min，再加入喜树碱：0.1～1.0％，各组分含量之和为百分之百，温度升至60±2℃搅拌反应4～6h，即得印迹溶胶；

(4)喜树碱分子印迹传感器的制备方法：取步骤(3)的印迹溶胶于10μL滴加到步骤(1)制备的预处理玻碳电极上，置于红外灯下，挥发干溶剂后，将其用乙醇与乙酸混合溶液浸泡6～8h，除去电极上的模板分子，即得喜树碱分子印迹传感器。

2.根据权利要求1所述的一种检测喜树碱分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述的喜树碱与氯金酸的摩尔比为1：1。

3.根据权利要求1所述的一种检测喜树碱分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述乙醇与盐酸混合溶液的体积比为乙醇：乙酸＝8:1。

4.根据权利要求1所述的一种检测喜树碱分子印迹传感器的制备方法所制备的检测喜树碱分子印迹传感器。