[发明专利]用于改进太阳能电池的制造成品率的系统和方法

权利要求书

1.一种用于在大规模的太阳能电池制备设施中制备太阳能电池

的系统，所述系统包括：

湿处理站；

干处理站；以及

位于所述湿处理站和所述干处理站之间的晶片储存装置，其中所述晶片储存装置内的微环境基本上与所述大规模的太阳能电池制备设施的大环境分隔开，其中所述微环境被过滤以减少化学物、水分和挥发性有机化合物，并且其中所述晶片储存装置被配置为暂时存储从所述湿处理站出来并且排队等待在所述干处理站进行处理的晶片。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述微环境内的一个或多个环境因素被仔细控制以确保在所述晶片上形成的中间层的完整性。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述环境因素包括以下中的一个或多个：

清洁度水平；

气态污染物水平；

温度；

湿度；和

压力。

4.根据权利要求1所述的系统，其中所述晶片储存装置包括容纳第二处理站并且其环境被监测和控制的室。

5.根据权利要求4所述的系统，其中所述室装配有以下中的一个或多个：

颗粒物过滤器；

基于水的空气净化器；

气相化学物过滤器；以及

温度和湿度控制模块。

6.根据权利要求1所述的系统，其中所述晶片储存装置包括以下中的一个或多个：

气密的箱；

气密的舱；以及

气密的通道，其被配置为将第一处理站耦合到第二处理站以允许在不暴露到所述大环境的情况下将所述晶片从第一处理站转移到第二处理站。

7.根据权利要求6所述的系统，其中所述晶片储存装置用净化过的氮气填充。

8.根据权利要求7所述的系统，其中所述氮气具有至少99.9％的纯度，并且其中所述氮气具有在760和770托之间的压力。

9.根据权利要求1所述的系统，其中所述湿处理站被配置为在所述晶片的一面或两面上形成超薄的氧化物层。

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述干处理站包括被配置为在所述超薄的氧化物层的表面上形成掺杂半导体层的化学气相沉积器械。

11.根据权利要求1所述的系统，其中所述晶片包括：

6英寸乘6英寸的正方形的硅晶片；或

6英寸乘6英寸的伪正方形的硅晶片。

12.一种用于在大规模的太阳能电池制备设施中制备太阳能电池的方法，所述方法包括：

在湿处理站处理晶片；

将处理过的晶片装载到晶片储存装置，其中所述晶片储存装置内的微环境基本上与所述大规模的太阳能电池制备设施的大环境分隔开，并且其中所述微环境被过滤以减少化学物、水分和挥发性有机化合物；

将所述处理过的晶片存储在所述晶片储存装置中，而所述处理过的晶片排队等待在干处理站中进行处理；以及

将所述处理过的晶片从所述晶片储存装置装载到所述干处理站。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述微环境内的一个或多个环境因素被仔细控制以确保所述处理过的晶片上的中间层的完整性。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述环境因素包括以下中的一个或多个：

清洁度水平；

气态污染物水平；

温度；

湿度；以及

气压。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述晶片储存装置包括容纳第二处理站并且其环境被监测和控制的室。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述室装配有以下中的一个或多个：

颗粒物过滤器；

基于水的空气净化器；

气相化学物过滤器；以及

温度和湿度控制模块。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述晶片储存装置包括以下中的一个或多个：

气密的箱；

气密的舱；以及

气密的通道，其被配置为将第一处理站耦合到第二处理站以允许在不暴露到所述大环境的情况下将所述处理过的晶片从第一处理站转移到第二处理站。