[发明专利]一种验证快闪存储器隧穿氧化层可靠性的方法有效
| 申请号： | 201610088127.2 | 申请日： | 2016-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN105551994B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈精纬;陈广龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 验证 闪存 储器隧穿 氧化 可靠性 方法 | ||
1.一种验证快闪存储器隧穿氧化层可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01：在硅片中通过离子注入形成N阱，然后在硅片上沉积隧穿氧化层并退火，接着沉积浮栅层及氮化硅层；
步骤S02：通过光刻及干法刻蚀在硅片中形成浅槽隔离沟槽；
步骤S03：进行浅槽隔离沟槽的氧化层填充；
步骤S04：通过湿法刻蚀去除部分氧化层，停止在浮栅层，形成浅槽隔离结构；
步骤S05：采用热磷酸去除氮化硅层，并沉积栅极层；
步骤S06：通过光刻及干法刻蚀形成场效应管器件；
步骤S07：形成侧墙；
步骤S08：在有源区表面形成电极，完成测试器件制备；
步骤S09：对测试器件进行隧穿氧化层可靠性测试。
2.根据权利要求1所述的验证快闪存储器隧穿氧化层可靠性的方法，其特征在于，步骤S01中，采用三道次磷离子注入形成N阱，用以调节器件阈值电压及进行器件隔离，防止漏电。
3.根据权利要求1所述的验证快闪存储器隧穿氧化层可靠性的方法，其特征在于，步骤S01中，采用ISSG工艺沉积隧穿氧化层，并采用N2O气氛进行退火。
4.根据权利要求1所述的验证快闪存储器隧穿氧化层可靠性的方法，其特征在于，步骤S02中，在干法刻蚀形成浅槽隔离沟槽时，通过同时刻蚀有源区、隧穿氧化层、浮栅层及氮化硅层，以确保所形成的浅槽隔离沟槽的形貌及深度。
5.根据权利要求1所述的验证快闪存储器隧穿氧化层可靠性的方法，其特征在于，步骤S03中，采用HARP工艺进行浅槽隔离沟槽的氧化层填充。
6.根据权利要求1所述的验证快闪存储器隧穿氧化层可靠性的方法，其特征在于，步骤S04中，通过湿法刻蚀去除部分氧化层时，其刻蚀量应保证器件的有效隔离及耦合效率。
7.根据权利要求1所述的验证快闪存储器隧穿氧化层可靠性的方法，其特征在于，所述浮栅层和栅极层材料为多晶硅。
8.根据权利要求1所述的验证快闪存储器隧穿氧化层可靠性的方法，其特征在于，步骤S06中，利用栅极层掩模版进行光刻及干法刻蚀，形成作为测试器件的场效应管器件。
9.根据权利要求1所述的验证快闪存储器隧穿氧化层可靠性的方法，其特征在于，步骤S07中，通过沉积氮化硅及氧化硅以形成侧墙。
10.根据权利要求1所述的验证快闪存储器隧穿氧化层可靠性的方法，其特征在于，步骤S08中，在有源区表面形成镍硅化合物电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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