[发明专利]主动元件阵列基板以及显示面板有效
申请号: | 201610088989.5 | 申请日: | 2016-02-17 |
公开(公告)号: | CN107092111B | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 陈德一;苏汉宗;林信宏;高克毅 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主动 元件 阵列 以及 显示 面板 | ||
1.一种主动元件阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
第一图案化金属层,配置于所述基板上;
第一绝缘层,位在所述基板上且覆盖所述第一图案化金属层;
图案化半导体层,配置于所述第一绝缘层上;
第一透光导电图案层,配置于所述第一绝缘层上且延伸至所述图案化半导体层上,并覆盖所述图案化半导体层的局部区域,且所述第一透光导电图案层直接配置于所述图案化半导体层上;
第二图案化金属层,配置于所述第一透光导电图案层上,且所述第二图案化金属层与所述第一透光导电图案层的重叠面积于所述基板上的正投影与所述第二图案化金属层于所述基板上的正投影一致,且所述第二图案化金属层的底角小于所述第一透光导电图案层的底角,其中所述第二图案化金属层的所述底角的范围是20度至60度,且所述第一透光导电图案层的所述底角的范围是75度至90度;
第二绝缘层,覆盖所述第二图案化金属层、被所述第二图案化金属层暴露出的第一透光导电图案层以及被所述第一透光导电图案层暴露出的图案化半导体层以及第一绝缘层;以及
第二透光导电图案层,位在所述第二绝缘层上,且对应于所述第一透光导电图案层。
2.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板,其特征在于,所述第一图案化金属层包括多条扫描线以及多个栅极,所述图案化半导体层包括多个半导体图案,所述第二图案化金属层包括多条数据线、多个源极以及多个漏极,所述多条数据线与所述多条扫描线交错以画分出多个子像素区,所述第一透光导电图案层包括多个第一图案以及多个第二图案,所述多个第一图案于所述基板上的正投影与所述多条数据线及所述多个源极于所述基板上的正投影一致,各所述第二图案位在其中一子像素区中,且各所述漏极位在其中一第二图案上,其中所述多个漏极与所述多个第二图案的重叠面积于所述基板上的正投影与所述多个漏极于所述基板上的正投影一致,所述第二透光导电图案层包括多个第三图案,各所述第三图案位在其中一子像素区中且位在其中一第二图案上方。
3.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板,其特征在于,各所述子像素区配置有其中一栅极、其中一半导体图案、其中一第一图案、其中一第二图案、其中一源极、其中一漏极以及其中一第三图案,所述第一图案与所述第二图案分别延伸至所述半导体图案上,所述源极覆盖延伸至所述半导体图案上的所述第一图案,所述漏极覆盖延伸至所述半导体图案上的所述第二图案,且所述半导体图案被所述第一图案与所述第二图案暴露出来的区域与所述半导体图案被所述源极与所述漏极暴露出来的区域一致。
4.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板,其特征在于,还包括:
第三绝缘层,设置于所述图案化半导体层与所述第一透光导电图案层间,且所述第三绝缘层具有多个第一开口以及多个第二开口,所述多个第一开口对应所述多个源极设置且分别暴露出各所述半导体图案的一部分区域,所述多个第二开口对应所述多个漏极设置且分别暴露出各所述半导体图案的另一部分区域,所述第一透光导电图案层配置于所述第三绝缘层上,且各所述第一图案通过其中一第一开口与对应的半导体图案接触,而各所述第二图案通过其中一第二开口与对应的半导体图案接触。
5.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板,其特征在于,所述图案化半导体层为非晶硅半导体层或氧化铟镓锌半导体层,所述第一透光导电图案层为金属氧化物层或金属氧化物的堆叠层。
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