[发明专利]一种磁控元件和磁控溅射装置

权利要求书

1.一种磁控元件，包括分别呈环状曲线的第一磁极和第二磁极，所述第一磁极和所述第二磁极极性相反，所述第一磁极和所述第二磁极相互嵌套且相互之间形成磁场，其特征在于，所述第一磁极和所述第二磁极之间形成的间隔区域的宽度为第一间距，所述第一间距能使沉积在基片上的膜层厚度均匀性不大于3％。

2.根据权利要求1所述的磁控元件，其特征在于，所述第一间距的范围为40-60mm。

3.根据权利要求1所述的磁控元件，其特征在于，所述第一间距为45mm。

4.根据权利要求1所述的磁控元件，其特征在于，所述第一磁极和所述第二磁极的环状曲线的极坐标方程为r²＝a×θ²+b×(tanθ)²+c，其中，a、b和c为常量，θ为环状曲线上任意一点的极角，r为环状曲线上任意一点的极径。

5.根据权利要求1所述的磁控元件，其特征在于，所述第一磁极和所述第二磁极的环状曲线的极坐标方程为θ＝r-arctan(r)，其中，θ为环状曲线上任意一点的极角，r为环状曲线上任意一点的极径。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的磁控元件，其特征在于，所述第二磁极围设在所述第一磁极的外围，所述磁控元件的旋转中心位于所述第一磁极和所述第二磁极之间形成的间隔区域内，所述第二磁极的远离靶材中心一侧的边缘覆盖与其对应的所述靶材的边缘。

7.一种磁控溅射装置，其特征在于，包括权利要求1-6任意一项所述的磁控元件。

8.根据权利要求7所述的磁控溅射装置，其特征在于，还包括靶材，所述靶材的中心与所述磁控元件的旋转中心相重合。

9.根据权利要求8所述的磁控溅射装置，其特征在于，还包括托盘，用于承载基片，所述托盘设置在所述靶材的下方，且所述托盘与所述靶材相对；所述托盘的直径小于或等于330mm。

10.根据权利要求9所述的磁控溅射装置，其特征在于，所述靶材与所述基片之间的间距范围为50-70mm。

11.根据权利要求7所述的磁控溅射装置，其特征在于，所述磁控溅射装置用于溅射导体材料，所述导体材料包括氧化铟锡、氮化钛或铜。