[发明专利]固态储存装置及运用于其中的快闪转换层对应表重建方法

说明书

本发明公开了一种固态储存装置及运用于其中的快闪转换层对应表重建方法，该方法包括下列步骤：由一非挥发性记忆体中载入一快闪转换层对应表至一缓冲元件中；于确认发生不正常断电时，根据该快闪转换层对应表中的一特定区块编程序号决定该非挥发性记忆体中的多个区块即将被读取；其中，根据每一该区块所对应的一区块编程序号或一辅助序号，决定该些区块的一读取顺序，并依据该读取顺序读取该些区块的内容，并更新该快闪转换层对应表中多个实体配置地址与多个逻辑区块地址的映射关系。

技术领域

本发明是有关于一种固态储存装置及其控制方法，且特别是有关于一种运用于固态储存装置的快闪转换层对应表(flash translation layer table)重建方法。

背景技术

众所周知，固态储存装置(Solid State Device，SSD)使用非挥发性记忆体(non-volatile memory)为主要储存元件。也就是说，当数据写入非挥发性记忆体后，一旦系统电源关闭，数据仍保存在固态储存装置中。

请参照图1，其所绘示为现有固态储存装置的示意图。固态储存装置10中包括一控制电路110、缓冲元件(buffering element)130与一非挥发性记忆体120。而在固态储存装置10外部，控制电路110通过一外部总线20与主机(host)12之间进行指令与数据的传递。其中，外部总线20可为USB总线、SATA总线或PCIe总线等等。再者，缓冲元件130可为挥发性记忆体，例如为DRAM。

缓冲元件130的储存空间被规划分为多个部分。缓冲元件130的第一部分储存空间可作为数据缓冲区(data buffering area)132。其中，数据缓冲区132用来暂存主机12输入的写入数据(write data)或者非挥发性记忆体120执行垃圾搜集动作(garbagecollection action)时所欲搬移的有效数据(valid data)。举例来说，当主机12欲将写入数据储存至非挥发性记忆体120时，控制电路110会将由外部总线20接收到的写入数据暂存至数据缓冲区132。或者，当控制电路110针对非挥发性记忆体进行垃圾搜集动作时，获得的欲搬移的有效数据会暂存至数据缓冲区132中。而控制电路110会适时地由数据缓冲区132将写入数据或者有效数据储存至非挥发性记忆体120。

缓冲元件130的第二部分储存空间可作为快闪转换层对应表(flash translationlayer table，以下简称FTL表)136。在固态储存装置10中，控制电路110利用FTL表可快速地存取非挥发性记忆体120中的数据，以下详细说明FTL表的用途。

一般来说，主机12端是利用逻辑区块地址(Logical Block Address，以下简称LBA地址)来定义固态储存装置10中的数据地址。而在非挥发性记忆体120端则是利用实体配置地址(Physical Allocation Address，以下简称PAA地址)来定义非挥发性记忆体120中的数据地址。因此，在固态储存装置10中需要通过FTL表来进行LBA地址与PBA地址之间的映射(mapping)，而FTL表即储存于缓冲元件130中。

举例来说，当主机12发出写入指令时，主机12会产生LBA地址与写入数据，用以指示控制电路110将该写入数据储存于LBA地址。接着，控制电路110会于非挥发性记忆体120中决定PAA地址，用来储存该写入数据。再者，控制电路110会进一步的将LBA地址与PAA地址之间的关系记录于FTL表136中。换言之，根据FTL表136的记录内容，控制电路110可根据LBA地址找到PAA地址，并于非挥发性记忆体120中找到该写入数据。

由以上的说明可知，FTL表136储存LBA地址与PAA地址之间的关系，一旦FTL表136中的内容错误，则控制电路110将无法找到数据。因此，当固态储存装置10在电源正常供应时，FTL表136会被储存在缓冲元件130中，以便于快速读取、储存及更新LBA地址与PAA地址之间的关系。