[发明专利]低损耗低介电常数微波介电陶瓷Mg2Bi3VO9在审
| 申请号： | 201610090414.7 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN105565804A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李纯纯;孙璇;邓酩 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 损耗 介电常数 微波 陶瓷 mg sub bi vo | ||
【权利要求书】：
1.一种低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷，其特征在于所述微波介电陶瓷的 化学组成为：Mg2Bi3VO9；
所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为：
（1）将纯度为99.9%（重量百分比）以上的MgO、Bi2O3和V2O5的原始粉末按Mg2Bi3VO9的组成 称量配料；
（2）将步骤（1）原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在800℃大气气氛 中预烧6小时；
（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在850~900℃大气 气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇添加量占粉 末总质量的3%。
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