[发明专利]用于改善存储器控制电路负偏压温度不稳定性的恢复电路

权利要求书

1.用于改善存储器控制电路负偏压温度不稳定性的恢复电路，包括一个时钟控制电路、一个灵敏放大器（SA）以及由若干个内嵌式存储单元（MC）组成的存储器，所述时钟控制电路包含有由5个反相器（E1，E2，E3，E4，E5）组成的传输链（1）、若干个复制单元（RC）以及第一PMOS管（P1）、或非门（B2）、与非门（D3）和4个反相器（B1，D1，D2，D4），其特征在于：在所述时钟控制电路中设有一个电源转换电路，所述电源转换电路连接在所述复制单元（RC）和所述传输链（1）之间，所述电源转换电路由第二PMOS管（SP）和NMOS管（SN）组成；所述第二PMOS管（SP）的源极与电源（VDD）连接，所述NMOS管（SN）的源极接地（GND）；所述第二PMOS管（SP）的栅极和所述NMOS管（SN）的栅极构成所述电源转换电路的转换控制信号输入端（RM）；所述第二PMOS管（SP）的漏极和所述NMOS管（SN）的漏极构成所述电源转换电路的输出端，所述电源转换电路的输出端分别与每个所述复制单元（RC）和所述传输链（1）的虚拟电源（VVDD）连接。

2.根据权利要求1所述的用于改善存储器控制电路负偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于：所述复制单元（RC）中的两个第一上拉PMOS管（PL1，PL2）的源极分别经所述虚拟电源（VVDD）与所述电源转换电路的输出端连接。

3.根据权利要求1所述的用于改善存储器控制电路负偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于：所述传输链（1）中每个反相器的第二上拉PMOS管（INP）的源极分别经所述虚拟电源（VVDD）与所述电源转换电路的输出端连接。