[发明专利]一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺

权利要求书

1.一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，其特征在于：所述钝化处理工艺步骤如下：

第一步：制绒，对晶体硅采用化学溶液进行腐蚀，去除晶体硅表面的杂质损伤层，且形成陷光绒面结构；

第二步：扩散，对经过制绒处理的晶体硅进行高温P扩散处理，扩散后方块电阻为70～90Ω；

第三部：刻边，刻蚀晶体硅片的边结；

第四步：初次钝化，将刻蚀后的晶体硅片内置于密封80-120°C高温环境下，通入氧气进行氧化处理，使晶体硅片表面形成氧化层；

第五步：二次钝化，采用磁控溅技术，以Al作为靶材，NH4作为反应气源，惰性气体作为等离子体增强气，在初次钝化的晶体硅片表面沉积AlN薄膜作为钝化层；

第六步：热处理，将二次钝化后的晶体硅片内置于120-150°C高温密封环境下加热3-5分钟。

2.根据权利要求1所述的一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，其特征在于：所述化学溶液为氢氧化钠溶液。

3.根据权利要求1所述的一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，其特征在于：所述氢氧化钠溶液的浓度为35-45g/L。

4.根据权利要求1所述的一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，其特征在于：所述氧化层的厚度为1-2nm。

5.根据权利要求1所述的一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，其特征在于：所述钝化层的厚度为2-3nm。